toshiba, gt30j324, igbt-600v-to-3p-n,

TOSHIBA GT30J324 БТИЗ транзистор, 30 А, 2.45 В, 170 Вт, 600 В, TO-3P, 3 вывод(-ов)

fuji-electric, 2mbi300u2b-060-50, igbt-dual-module-300a-600v-npt,

FUJI ELECTRIC 2MBI300U2B-060-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 300 А, 2.45 В, 1 кВт, 600 В, Module

infineon, irf6636trpbf, mosfet-n-ch-20v-81a-directfet,

INFINEON IRF6636TRPBF МОП-транзистор, N Канал, 81 А, 20 В, 0.0032 Ом, 10 В, 2.45 В

vishay, vs-eth1506s-m3, diode-ufast-rec-600v-15a-to263ab,

VISHAY VS-ETH1506S-M3 Силовой диод быстрого действия, 600 В, 15 А, Одиночный, 2.45 В, 36 нс, 160 А

vishay, vs-eth1506fp-m3, diode-hfast-rec-600v-15a-to220fp,

VISHAY VS-ETH1506FP-M3 Быстрый / ультрабыстрый диод, 600 В, 15 А, Одиночный, 2.45 В, 36 нс, 160 А

vishay, vs-eth1506-1-m3, diode-hfast-rec-600v-15a-to262aa,

VISHAY VS-ETH1506-1-M3 Быстрый / ультрабыстрый диод, 600 В, 15 А, Одиночный, 2.45 В, 36 нс, 160 А

infineon, irf6609tr1, mosfet-n-directfet-mt,

INFINEON IRF6609TR1 МОП-транзистор, N Канал, 150 А, 20 В, 0.0016 Ом, 10 В, 2.45 В

infineon, irf6636trpbf, mosfet-n-ch-20v-81a-directfet,

INFINEON IRF6636TRPBF МОП-транзистор, N Канал, 81 А, 20 В, 0.0032 Ом, 10 В, 2.45 В

infineon, irf6620tr1, mosfet-n-directfet-mx,

INFINEON IRF6620TR1 МОП-транзистор, N Канал, 150 А, 20 В, 0.0021 Ом, 10 В, 2.45 В

infineon, irf6619tr1, mosfet-n-directfet-mx,

INFINEON IRF6619TR1 МОП-транзистор, N Канал, 24 А, 30 В, 1.65 мОм, 10 В, 2.45 В