NXP PMBFJ176,215 ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 2 мА, 35 мА, 4 В
Метка: 30 В
nxp, pbss4330x, transistor-npn-sot-89,
NEXPERIA PBSS4330X Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 550 мВт, 2 А, 300 hFE
panasonic-electronic-components, evqp0d07k, switch-6-2×6-2mm-1-3n,
PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS EVQP0D07K Тактильная кнопка, Без Подсветки, 30 В, 50 мА, 1.3 Н, Пайка
apem, 8642a, switch-dpdt-4a-30vdc,
APEM 8642A Кнопочный переключатель, Вкл.-(Вкл.), DPDT, 125 В, 30 В, 4 А, Пайка
on-semiconductor, ntd4804nt4g, mosfet-n-channel-30v-19-6a-to,
ON SEMICONDUCTOR NTD4804NT4G МОП-транзистор, N Канал, 19.6 А, 30 В, 3.4 мОм, 10 В, 2.5 В
on-semiconductor, mvgsf1n03lt1g, mosfet-n-ch-30v-2-1a-sot-23,
ON SEMICONDUCTOR MVGSF1N03LT1G МОП-транзистор, N Канал, 2.1 А, 30 В, 0.08 Ом, 10 В, 1.7 В Новинка
on-semiconductor, mmbta64lt1g, trans-bipol-pnp-30v-sot23,
ON SEMICONDUCTOR MMBTA64LT1G Биполярный транзистор, PNP, -30 В, 125 МГц, 225 мВт, -500 мА, 10000 hFE
on-semiconductor, mch6664-tl-w, pch-1-5a-30v-sot-363,
ON SEMICONDUCTOR MCH6664-TL-W Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -1.5 А, -30 В, 0.458 Ом, -4 В, -2.6 В
vishay, ll42-gs08, diode-schottky-aec-q101-single,
VISHAY LL42-GS08 Диод Шоттки малого сигнала, Одиночный, 30 В, 200 мА, 450 мВ, 4 А, 125 °C Новинка
infineon, irlml0030trpbf, mosfet-n-ch-30v-5-3a-sot23-3,
INFINEON IRLML0030TRPBF МОП-транзистор, N Канал, 5.3 А, 30 В, 0.022 Ом, 10 В, 1.7 В