Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 25LC010A-I/P Микросхема памяти; EEPROM; SPI; 128×8бит; 2,5?5,5В; 10МГц; SO8
Метка: SPI
MICROCHIP TECHNOLOGY,25LC010A-I/P
MICROCHIP TECHNOLOGY,25LC040A-I/SN 
Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 25LC040A-I/SN Микросхема памяти; EEPROM; SPI; 512×8бит; 2,5?5,5В; 10МГц; SO8
MICROCHIP TECHNOLOGY,25LC512-I/MF 
Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 25LC512-I/MF Микросхема памяти; EEPROM; SPI; 64Кx8бит; 2,5?5,5В; 20МГц; DFN8
MICROCHIP TECHNOLOGY,25AA160C-I/SN
Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 25AA160C-I/SN Микросхема памяти; EEPROM; SPI; 2048×8бит; 1,8?5,5В; 10МГц; SO8
MICROCHIP TECHNOLOGY,SST25PF020B-80-4C-SAE
Категория: Запоминающие уст-ва FLASH последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY SST25PF020B-80-4C-SAE Память: Serial Flash; SPI; 80МГц; 2,3?3,6В; SO8
SPANSION,S29GL128P10TFI010 
Категория: Запоминающие уст-ва FLASH параллельные Технические характеристики,описание: SPANSION S29GL128P10TFI010 Микросхема памяти; Flash EPROM; SPI; 16Mx8/8Mx16бит; TSOP56
MICROCHIP TECHNOLOGY,MCP79522T-I/MN 
Категория: Схемы RTC Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY MCP79522T-I/MN Микросхема RTC; SPI; SRAM; 64Б; 1,8?3,6ВDC; TDFN10
HOPE MICROELECTRONICS,RFM02-433-D 
Категория: Модули связи RF Технические характеристики,описание: HOPE MICROELECTRONICS RFM02-433-D Модуль: RF; передатчик FM; FSK; 433,92МГц; SPI; 2,2?5,4ВDC; 8дБм
WIZNET,WIZFI250-EVB 
Категория: Модули Wiznet Технические характеристики,описание: WIZNET WIZFI250-EVB Средство разработки: WiFi; Интерфейс: GPIO, SPI, UART, USB
HOPE MICROELECTRONICS,RFM42B-433-S1 
Категория: Модули связи RF Технические характеристики,описание: HOPE MICROELECTRONICS RFM42B-433-S1 Модуль: RF; передатчик FM; FSK; 433,92МГц; SPI; 1,8?3,6ВDC; 20дБм