Архив рубрики: EUPEC

модуль IGBT BSM200GAL120DN2 

Силовой транзисторный модуль IGBT BSM200GAL120DN2  

Силовой транзисторный модуль IGBT BSM200GAL120DN2
Силовой транзисторный модуль IGBT BSM200GAL120DN2

Силовой транзисторный модуль IGBT BSM200GAR120DN2  

Силовой транзисторный модуль IGBT BSM200GAR120DN2  
Силовой транзисторный модуль IGBT BSM200GAR120DN2

 

Производитель, Infineon , Eupec

каталог, описание, технические, характеристики, datasheet, параметры, маркировка,габариты, фото, даташит ,модуль ,IGBT ,BSM200GAL120DN2 , BSM200GAR120DN2

BSM150GT120DN2 Eupec

Модуль транзисторный IGBT
BSM150GT120DN2

IGBT модуль EUPEC 150A 1200V

Номер в каталоге производителя:

BSM150GT120DN2

Производитель:

Infineon Technologies

Описание:

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A TRIPACK
Модуль транзисторный IGBT BSM 150GT120DN2
Модуль транзисторный IGBT BSM 150GT120DN2 
BSM150GT120DN2,IGBT,Isiemens
BSM150GT120DN2,IGBT,Isiemens

Категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Производитель:InfineonRoHS:НетПродукт:IGBT Silicon ModulesКонфигурация:HexНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:1200 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер:2.5 VНепрерывный коллекторный ток при 25 C:200 AТок утечки затвор-эмиттер:320 nAPd — рассеивание мощности:1.25 kWУпаковка / блок:EconoPACK 3A

Максимальная рабочая температура:+ 150 C

Торговая марка:Infineon TechnologiesВысота:17 mmДлина:121.5 mm

Максимальное напряжение затвор-эмиттер:20 V

Минимальная рабочая температура:— 40 C

Вид монтажа:Screw