FUJI ELECTRIC FGW40N120HD БТИЗ транзистор, 70 А, 1.8 В, 340 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов)
Метка: -1.2 кВ
fuji-electric, 6mbi15s-120-50, 6-pack-igbt-module-15a-1200v-npt,
FUJI ELECTRIC 6MBI15S-120-50 БТИЗ транзистор, упаковка из 6, 15 А, 2.6 В, 110 Вт, 1.2 кВ, Module, 17 вывод(-ов)
stmicroelectronics, stth9012tv1, diode-ultrafast-2x45a-1200v,
STMICROELECTRONICS STTH9012TV1 Модуль диода, 1.2 кВ, 45 А, 1.8 В, Двойной Изолированный, STTH9 Series
infineon, idh10g120c5xksa1, sic-schottky-diode-1-2kv-31-9a,
INFINEON IDH10G120C5XKSA1 Карбидокремниевый диод Шоттки, thinQ Series, Одиночный, 1.2 кВ, 31.9 А, 41 нКл, TO-220 Новинка
vishay, vs-20ets12spbf, diode-standard-20a-1200v,
VISHAY VS-20ETS12SPBF Стандартный силовой диод, 1.2 кВ, 20 А, Одиночный, 1.05 В, 300 А
genesic-semiconductor, s85q, diode-rectifier-1200v-85a-do5,
GENESIC SEMICONDUCTOR S85Q Модуль диода, кремниевый, 1.2 кВ, 85 А, 1.1 В, Одиночный, S85Q Series
infineon, irg4ph50upbf, igbt-1200v-45a-to-247ac,
INFINEON IRG4PH50UPBF БТИЗ транзистор, 45 А, 3.7 В, 200 Вт, 1.2 кВ, TO-247AC, 3 вывод(-ов)
wolfspeed, cas100h12am1, module-half-bridge-1200v-100a,
WOLFSPEED CAS100H12AM1 Биполярный транзистор, Двойной N Канал, 168 А, 1.2 кВ, 0.016 Ом, 20 В, 2.6 В
fuji-electric, 1mbi50u4f-120l-50, igbt-chopp-u-ser-50a-1200v-m232,
FUJI ELECTRIC 1MBI50U4F-120L-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 1.2 кВ, 275 Вт, Module
ixys-semiconductor, dsec16-12a, diode-fast-20a-to-220ab,
IXYS SEMICONDUCTOR DSEC16-12A Модуль диода, эпитаксиальный диод (HiPerFRED ), 1.2 кВ, 10 А, 1.96 В, 1 Пара с Общим Катодом