INFINEON FP75R12KT4BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.85 В, 385 Вт, 1.2 кВ, Module Новинка
Метка: -1.2 кВ
on-semiconductor, ngtb40n120s3wg, igbt-single-1-2kv-160a-to-247,
ON SEMICONDUCTOR NGTB40N120S3WG БТИЗ транзистор, 160 А, 1.7 В, 454 Вт, 1.2 кВ, TO-247, 3 вывод(-ов) Новинка
vishay, vs-40mt120uhapbf, igbt-module-1200v-80a-mtp,
VISHAY VS-40MT120UHAPBF БТИЗ массив и модульный транзистор, NPN, 80 А, 5.35 В, 463 Вт, 1.2 кВ, MTP
semisouth, sda10s120, diode-sic-1200v-10a-to220,
SEMISOUTH SDA10S120 Карбидокремниевый диод Шоттки, SIC, Одиночный, 1.2 кВ, 10 А, 64 нКл, TO-220
infineon, irg7ph35upbf, igbt-n-ch-1200v-55a-to-247ac,
INFINEON IRG7PH35UPBF БТИЗ транзистор, 55 А, 1.9 В, 210 Вт, 1.2 кВ, TO-247AC, 3 вывод(-ов)
infineon, f475r12ms4, igbt-pow-quad-with-ntc-1200v-75a,
INFINEON F475R12MS4 БТИЗ массив и модульный транзистор, 4 канала, N Канал, 75 А, 3.2 В, 500 Вт, 1.2 кВ, Module
fuji-electric, 2mbi200s-120-50, igbt-dual-module-200a-1200v-npt,
FUJI ELECTRIC 2MBI200S-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, упаковка из 4, N Канал, 200 А, 2.6 В, 1.5 кВт, 1.2 кВ, Module
rohm, scs210ke2c, diode-schottky-1200v-10a-sic-to247,
ROHM SCS210KE2C Карбидокремниевый диод Шоттки, барьер, Серия SCS21, Двойной Общий Катод, 1.2 кВ, 10 А, 17 нКл
vishay, vs-40hf120, diode-standard-40a-1200v,
VISHAY VS-40HF120.. Модуль диода, 1.2 кВ, 40 А, 1.3 В, VS-40 Series
stmicroelectronics, stpsc10h12dy, sic-schottky-diode-1-2kv-10a-to,
STMICROELECTRONICS STPSC10H12DY Карбидокремниевый диод Шоттки, STPSC10H12-Y Series, Одиночный, 1.2 кВ, 10 А, 57 нКл, TO-220AC Новинка