VISHAY SI2301CDS-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -3.1 А, -20 В, 90 мОм, -4.5 В, -400 мВ
Метка: -3.1 А
vishay, si2392ads-t1-ge3, mosfet-n-ch-100v-3-1a-sot-23,
VISHAY SI2392ADS-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 3.1 А, 100 В, 0.102 Ом, 10 В, 3 В Новинка
nxp, pmv37en, mosfet-n-ch-30v-3-1a-sot23,
NEXPERIA PMV37EN МОП-транзистор, N Канал, 3.1 А, 30 В, 0.028 Ом, 10 В, 1.5 В
nxp, pmv37en, mosfet-n-ch-30v-3-1a-sot23,
PMV37EN МОП-транзистор, N Канал, 3.1 А, 30 В, 0.028 Ом, 10 В, 1.5 В
nexperia, pmv55enea, mosfet-n-ch-60v-3-1a-to-236ab,
NEXPERIA PMV55ENEA МОП-транзистор, N Канал, 3.1 А, 60 В, 0.046 Ом, 10 В, 1.7 В
on-semiconductor, ntgs3443t1g, mosfet-p,
ON SEMICONDUCTOR NTGS3443T1G МОП-транзистор, P Канал, 3.1 А, -20 В, 0.058 Ом, -4.5 В, -950 мВ
vishay, irfu320pbf, mosfet-n-400v-3-1a-i-pak,
VISHAY IRFU320PBF МОП-транзистор, N Канал, 3.1 А, 400 В, 1.8 Ом, 10 В, 4 В