ON SEMICONDUCTOR MPSA13RLRAG Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 30 В, 125 МГц, 1.5 Вт, 500 мА, 5000 hFE
Метка: 30 В
on-semiconductor, mmbta13lt1g, darlington-npn-300-ma-30-v-full,
ON SEMICONDUCTOR MMBTA13LT1G. DARLINGTON NPN, 300 mA, 30 V, FULL REEL
epcos, b72540e0300k062, varistor-multilayer-38vdc-2220,
EPCOS B72540E0300K062 TVS-варистор, 30 В, 38 В, Серия MLV E, 77 В, 2220 [5650 Метрический], Многослойный Варистор (MLV)
wurth-elektronik, 82550250, smd-varistor-power-0805-25vrms,
WURTH ELEKTRONIK 82550250 TVS-варистор, 25 В, 30 В, Серия WE-VS, 65 В, 0805 [2012 Метрический], Защитное Устройство от ЭСР
infineon, irlml6346trpbf, mosfet-n-ch-30v-3-4a-sot23,
INFINEON IRLML6346TRPBF МОП-транзистор, N Канал, 3.4 А, 30 В, 0.046 Ом, 4.5 В, 800 мВ
infineon, irfh8324tr2pbf, mosfet-n-ch-w-diode-30v-50a-pqfn56,
INFINEON IRFH8324TR2PBF МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 30 В, 3.3 мОм, 10 В, 1.8 В
infineon, irf7832trpbf, mosfet-n-ch-30v-20a-soic-8,
INFINEON IRF7832TRPBF МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 30 В, 0.0031 Ом, 10 В, 2.32 В
infineon, irf6729mtr1pbf, mosfet-n-ch-30v-31a-directfet,
INFINEON IRF6729MTR1PBF МОП-транзистор, N Канал, 190 А, 30 В, 1.4 мОм, 10 В, 1.8 В
infineon, ipd90n03s4l03atma1, mosfet-n-ch-30v-90a-to252-3,
INFINEON IPD90N03S4L03ATMA1 МОП-транзистор, AEC-Q101, N Канал, 90 А, 30 В, 0.0025 Ом, 10 В, 1.6 В
diodes-inc, fzt1049a, transistor-npn-sot-223,
DIODES INC. FZT1049A Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 180 МГц, 2.5 Вт, 5 А, 450 hFE