VISHAY SIA448DJ-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 20 В, 0.0125 Ом, 4.5 В, 400 мВ
Метка: -400 мВ
on-semiconductor, bat54slt1g, diode-signal-30v-sot-23,
ON SEMICONDUCTOR BAT54SLT1G Диод Шоттки малого сигнала, Двойной Последовательный, 30 В, 200 мА, 400 мВ, 600 мА, 150 °C
vishay, si2336ds-t1-ge3, mosfet-n-ch-30v-5-2a-diode-sot23,
VISHAY SI2336DS-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 5.2 А, 30 В, 0.034 Ом, 4.5 В, 400 мВ
fairchild-semiconductor, bat54c, diode-schottky-0-2a-30v-smd,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BAT54C Диод Шоттки малого сигнала, Двойной Общий Катод, 30 В, 200 мА, 400 мВ, 600 мА, 125 °C
vishay, si2336ds-t1-ge3, mosfet-n-ch-30v-5-2a-diode-sot23,
VISHAY SI2336DS-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 5.2 А, 30 В, 0.034 Ом, 4.5 В, 400 мВ
rohm, rb161l-40te25, diode-schottky,
ROHM RB161L-40TE25 Диод Шоттки малого сигнала, Одиночный, 40 В, 1 А, 400 мВ, 70 А, 125 °C
fairchild-semiconductor, bat54s, diode-schottky-100ma-30v-sot-23,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BAT54S Диод Шоттки малого сигнала, Двойной Последовательный, 30 В, 10 мА, 400 мВ, 600 мА, 125 °C
vishay, sia437dj-t1-ge3, mosfet-p-ch-20v-29-7a-powerpaksc70,
VISHAY SIA437DJ-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -29.7 А, -20 В, 0.012 Ом, -4.5 В, -400 мВ
on-semiconductor, bat54slt1g, diode-ultrafast-100ma-30v-sot,
ON SEMICONDUCTOR BAT54SLT1G Диод Шоттки малого сигнала, Двойной Последовательный, 30 В, 200 мА, 400 мВ, 600 мА, 150 °C
vishay, si2334ds-t1-ge3, mosfet-n-ch-30v-4-9a-diode-sot23,
VISHAY SI2334DS-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 4.9 А, 30 В, 0.035 Ом, 4.5 В, 400 мВ