NEXPERIA PMDXB1200UPE Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -410 мА, -30 В, 1.2 Ом, -4.5 В, -700 мВ
Метка: -410 мА
vishay, si1903dl-t1-e3, mosfet-transistor,
VISHAY SI1903DL-T1-E3 Двойной МОП-транзистор, двойной, Двойной P Канал, 410 мА, -20 В, 995 мОм, -4.5 В, -1.5 В
nxp, pmzb1200upe, mosfet-p-ch-30v-0-41a-sot-883b,
PMZB1200UPE МОП-транзистор, P Канал, -410 мА, -30 В, 1.2 Ом, -4.5 В, -700 мВ
nxp, pmz1200upe, mosfet-p-ch-30v-0-41a-sot883-3,
PMZ1200UPE МОП-транзистор, P Канал, -410 мА, -30 В, 1.2 Ом, -4.5 В, -700 мВ
nxp, pmdxb1200upe, mosfet-dual-p-ch-30v-0-41a-dfn,
PMDXB1200UPE Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -410 мА, -30 В, 1.2 Ом, -4.5 В, -700 мВ
fairchild-semiconductor, fdg6304p, mosfet-dual-p-ch-25v-0-41a-sc,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6304P Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -410 мА, -25 В, 0.85 Ом, -4.5 В, -820 мВ