FUJI ELECTRIC 2MBI150U4A-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 200 А, 2.3 В, 735 Вт, 1.2 кВ, Module
Метка: диоды
диоды силовые
диоды силовые datasheet pdf
on-semiconductor, mjd45h11t4g, transistor-pnp-80v-8a-to-252-3,
ON SEMICONDUCTOR MJD45H11T4G Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 90 МГц, 20 Вт, -8 А, 40 hFE
nxp, psmn013-60yl, mosfet-n-ch-60v-53a-sot-669-4,
PSMN013-60YL МОП-транзистор, TrenchMOS, N Канал, 53 А, 60 В, 0.0108 Ом, 10 В, 1.7 В
infineon, bsp129-l6327, mosfet-n-ch-240v-350ma-sot-223,
INFINEON BSP129 L6327 МОП-транзистор, N Канал, 350 мА, 240 В, 4.2 Ом, 10 В, -1.4 В
powerex, pss30s92f6-ag, ipm-igbt-30a-1-5kv-dip,
POWEREX PSS30S92F6-AG IPM, IGBT, 30A, 1.5KV, DIP
multicomp, ss32, schottky-rectifier-3a-20v-do-214ab,
MULTICOMP SS32+ Выпрямитель Шоттки, 20 В, 3 А, Одиночный, DO-214AB, 2 вывод(-ов), 550 мВ Новинка
fairchild-semiconductor, fdd6612a, n-channel-mosfet-30v-30a-to-252,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6612A.. N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, TO-252
ixys-semiconductor, ixth36n50p, mosfet-n-to-247,
IXYS SEMICONDUCTOR IXTH36N50P МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 36 А, 500 В, 170 мОм, 10 В, 5 В
vishay, byw56-tap, diode-avalanche-2a-1000v,
VISHAY BYW56-TAP Стандартный силовой диод, AEC-Q101, 1 кВ, 2 А, Одиночный, 1 В, 4 мкс, 50 А