FUJI ELECTRIC 1MBI1200U4C-170 БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной N Канал, 1.6 кА, 2.43 В, 7.35 кВт, 1.7 кВ, Module
Метка: Module
infineon, fs200r12pt4, igbt-pow-quad-w-ntc-1200v-200a,
INFINEON FS200R12PT4 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 200 А, 1.75 В, 1 кВт, 1.2 кВ, Module
infineon, bsm75gar120dn2, igbt-module-chopper-1200v,
INFINEON BSM75GAR120DN2 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 105 А, 3 В, 625 Вт, 1.2 кВ, Module
fuji-electric, 6mbp30rh-060-50, igbt-ipm-6-pack-30a-600v-pt,
FUJI ELECTRIC 6MBP30RH-060-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 30 А, 2.7 В, 85 Вт, 600 В, Module
TE CONNECTIVITY MTMT00A0 Аксессуар реле, Module, MT Series Multimode Relay, MT Series
te-connectivity, mtmt00a0, diode-module-multimode,
infineon, ff450r12kt4hosa1, igbt-module-dual-npn-1-75v-580a,
INFINEON FF450R12KT4HOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 580 А, 1.75 В, 2.4 кВт, 1.2 кВ, Module
fuji-electric, 6mbi15s-120-50, 6-pack-igbt-module-15a-1200v-npt,
FUJI ELECTRIC 6MBI15S-120-50 БТИЗ транзистор, упаковка из 6, 15 А, 2.6 В, 110 Вт, 1.2 кВ, Module, 17 вывод(-ов)
ixys-semiconductor, mid200-12a4, igbt-module-1-2kv-270a,
IXYS SEMICONDUCTOR MID200-12A4 БТИЗ транзистор, 270 А, 2.2 В, 1.13 кВт, 1.2 кВ, Module, 7 вывод(-ов)
powerex, cm200du-24h, igbt-module-1-2kv-200a-module,
POWEREX CM200DU-24H IGBT MODULE, 1.2KV, 200A, MODULE
fuji-electric, 1mbi50u4f-120l-50, igbt-chopp-u-ser-50a-1200v-m232,
FUJI ELECTRIC 1MBI50U4F-120L-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 50 А, 1.2 кВ, 275 Вт, Module