Метка: Силовые

nexperia, pbss5260paps, trans-dual-pnp-auto-60v-sot1118d,

Минск, Обновлено: 13 августа 2024г., 00:00

PBSS5260PAPS Массив биполярных транзисторов, Двойной PNP, -60 В, 510 мВт, -2 А, 50 hFE, SOT-1118

rohm, dta143ekat146, transistor,

Минск, Обновлено: 13 августа 2024г., 00:00

ROHM DTA143EKAT146 Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 250 МГц, 200 мВт, 100 мА, 30 hFE

taiwan-semiconductor, rs1ml, diode-fast-sgp-0-8a-1000v,

Минск, Обновлено: 13 августа 2024г., 00:00

TAIWAN SEMICONDUCTOR RS1ML Стандартный силовой диод, 1 кВ, 800 мА, Одиночный, 1.3 В, 500 нс, 30 А

diodes-inc, sbr02u100lp-7, super-b-rectifier-dfn1006-0-2a,

Минск, Обновлено: 13 августа 2024г., 00:00

DIODES INC. SBR02U100LP-7 Стандартный восстанавливающийся диод, 100 В, 200 мА, Одиночный, 800 мВ, 5 А

texas-instruments, uln2003ansr, transistor-npn-50v-500ma-soic,

Минск, Обновлено: 13 августа 2024г., 00:00

TEXAS INSTRUMENTS ULN2003ANSR. TRANSISTOR, NPN, 50V, 500mA, SOIC-16

infineon, irlms5703trpbf, mosfet-p-6-tsop,

Минск, Обновлено: 13 августа 2024г., 00:00

INFINEON IRLMS5703TRPBF МОП-транзистор, P Канал, -1.6 А, -30 В, 200 мОм, -10 В, -1 В

fairchild-semiconductor, bas35, diode-small-signal-120v-sot-23,

Минск, Обновлено: 13 августа 2024г., 00:00

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BAS35 Диод слабых сигналов, Двойной Общий Анод, 120 В, 200 мА, 1 В, 50 нс, 2 А

oeg-te-connectivity, pcj-124d3m-303, relay-spst-no-250vac-30vdc-5a,

Минск, Обновлено: 13 августа 2024г., 00:00

OEG — TE CONNECTIVITY PCJ-124D3M,303 Универсальное реле, серия PCJ, силовое, без защелки, SPST-NO, 24В DC, 5А

nxp, pbss4320x, transistor-npn-sot-89,

Минск, Обновлено: 13 августа 2024г., 00:00

PBSS4320X Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 100 МГц, 550 мВт, 2 А, 220 hFE