ga200sa60sp sot227 модуль igbt сот-227
vs-ga200sa60sp ga200sa60sppbf
akk/samsung a200 /288 asahi
bga2001.115
bga2001.115 nxp
ga200hs60s1 vish/ir
ga200sa60sp vish/ir
ga200sa60sp,igbt 600b 200а 1кгц sot227
ga200sa60up vish/ir
ga200ts60u,2igbt 600в 200а 40кгц
iga2008-aboa
sme2530pbga-200 sun
vs-ga200sa60sp
vs-ga200sa60sp vish/ir
vs-ga200sa60up vish/ir
vs-ga200sa60up
vs-ga200sa60up,igbt 600b 200а 40кгц sot227
vs-ga200sa60up vishay, trans igbt chip n-ch 600v 200a 500000mw 4-pin sot-227
ga200sa60s-транзистор international rectifier
bga2001,115 nxp semiconductors, mmic amplifier sot-343r
bga2003,115 nxp semiconductors, mmic amplifier sot-343r
ga200hs60s1 .ir,
ga200hs60s1pbf .igbt,
nx5032ga-20.000000mhz-ln-cd-1 ndk, crystal 20mhz 8pf smd
bga2001,115 nxp
bga2001.115 freescale semiconductor
bga2003,115 nxp
ga200sa60up vishay
vs-ga200sa60up vishay
cx3225ga20000d0ptvcc kyocera electronic components, crystals 20000khz 8pf aec-q200
om7600/bga2001/180 nxp semiconductors, amplifier ic development tools gp mmic demo board
om7619/bga2003,598 nxp semiconductors, amplifier ic development tools gp mmic demo board
vs-ga200sa60up vishay semiconductors
vs-ga200th60s vishay
bga2001.115 nxp, / м.опт: 702-1845 шт. опт: от 1846 шт.
vs-ga200sa60up vishay, / м.опт: 501-9999 шт. опт: от 10000 шт.
bga2001.115, nxp: компаратор высокого класса sot343r nxp, компаратор высокого класса sot343r
vs-ga200sa60up, vishay: модуль: бтиз, 600 в 200 а sot227 vishay, модуль: бтиз, 600 в 200 а sot227
ga200sa60s-транзистор international rectifier, 160. копия этикетки
akk/samsung a200 /288 asahi kasei microsystems
bga2002.115 nxp
bga2002115 nxp
vs-ga200hs60s1pbf vishay
vs-ga200sa60sp vishay
bga2001 /nxp/ moq>100 nxp
bga2001.115 /nxp/ moq>1008 nxp
ga200kit2 /providus/ moq>2 providus
q962-ga20-0000-i1 /seco/ moq>10000 seco
vs-ga200sa60up /vishay/ vishay
vs-ga200sa60up /vishay/ moq>10 vishay
vs-ga200sa60up /vishay/ moq>10000 vishay
vs-ga200sa60up /vishay/ moq>3 vishay
vs-ga200sa60up /vishay/ moq>6 vishay
bga2001.115 sot343r nxp, оптовая цена от 1846 шт.
vs-ga200sa60up sot-227 vishay, оптовая цена от 6 шт.
vs-ga200sa60up vishay, биполярный транзистор igbt, 600 в, 200 а, 500 вт
bga2001,115 nxp / philips
ga200kit2 набор газовая горелка+ 2 баллона gasex (аналог map/pro), кейс
bga2001 nxp sot343r -mmic amplifier
bga2001.115 nxp, 2-5 дней на заказ sot343r
ga200sa60sp sot227 -igbt: 600в, 200а
ga200sa60up sot227 -600v ultrafast 10-30khz single igbt
vs-ga200sa60up ir, 1-2 дня на заказ
bga2001,115 freescale semiconductor, mmic rf amp, 22db, 1.8ghz, sot-343-4 mmic: silicon amplifier 4,5v 4ma 135mw 19,5db, 1,3ггц rf amp chip single gp 4…
bga2001115 philips
bga2003,115 freescale semiconductor, mmic: silicon amplifier 4,5v 10ma 135mw 19db, 1,8ггц rf amp chip single gp 4.5v 4-pin(3+tab) cmpak t/r. мин.заказ=3000
bga2003115 philips
ga200kit2 набор providus, газовая горелка+ 2 баллона gasex (аналог map/pro), кейс.
ina-51063philips-bga2001115 philips
upc2745philips-bga2001115 philips
upc2746philips-bga2001115 philips
vs-ga200sa60up vishay intertechnology, single igbt, 600v, 200a trans igbt chip n-ch 600v 200a 4-pin sot-227 trans igbt chip n-ch 600v 200a 4-pin sot-227. …
vs-ga200sa60up ir, упак.: б/уп
ga200ts60u модули
vs-ga200sa60up диоды,свч,индикаторы
vs-ga200sa60up international rectifier
bga2001.115 nxp semiconductors
vs-ga200sa60up vishay intertechnology inc., igbt transistors n-ch 600 volt 100a
vs-ga200th60s vishay intertechnology inc., igbt modules output & sw modules — diap igbt
ga200sa60u
ga200ts60u
vs-ga200sa60up ir
akk/samsung a200 /288 asahi, ***
bga2001.115 nxp, sot343r
ga200ts60uir
vs-ga200sa60upб/г ir б/уп
ga200ts60u ir
vs-ga200sa60up (б/гг) ir
vs-ga200sa60up ir, упак б/уп
6es7194-4ga20-0aa0 siemens
6sl3263-1ga20-0ga0 siemens
bga2001 nxp
bga2003.115 nxp
cx3225ga20000d0ptvcc avx
ga200hs60s1 infineon
ga200ts60upbf vishay intertechnology
hr-3utga2000bp4 sanyo
lga200p-12 hg power
nx3225ga-20.000m-std-crg-1 ndk
nx3225ga-20.000m-std-crg-2 ndk
nx5032ga-20.000000mhz-ln-cd-1 ndk
nx5032ga-20.000m-std-csk-4 ndk
nx5032ga-20.000m-std-csu-2 ndk
om7600/bga2001/900 nxp
quick-bga2005 quick
vs-ga200sa60sp vishay intertechnology
vs-ga200sa60up vishay intertechnology
vs-ga200th60s vishay intertechnology
vs-ga200ts60upbf vishay intertechnology
bga2001.115 (заказ 3 дня) nxp, 1 sot343r
vs-ga200sa60up ir, б/уп
bga2001,115 nxp, rf amplifier mmamplifier. мин.: 139шт.
bga2001,115 nxp usa inc., mmic amplifier sot-343r
bga2001,115 nxp semiconductors, mmic amplifier sot-343r. мин.: 3000шт.
bga2001,115 nxp semiconductors, mmic amplifier sot-343r. мин.: 115шт.
cx3225ga20000d0ptvcc avx corp/kyocera corp, crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 63шт.
nx3225ga-20.000m-std-crg-1 ndk, crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 118шт.
nx3225ga-20.000m-std-crg-1 ndk, crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 3000шт.
nx3225ga-20.000m-std-crg-1 ndk america, inc., crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 118шт.
nx3225ga-20.000m-std-crg-1 ndk america, inc., crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 3000шт.
nx3225ga-20.000m-std-crg-2 ndk, crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 3000шт.
nx3225ga-20.000m-std-crg-2 ndk america, inc., crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 3000шт.
nx3225ga-20.000m-std-crg-2 ndk, crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 118шт.
nx3225ga-20.000m-std-crg-2 ndk america, inc., crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 118шт.
nx5032ga-20.000000mhz-ln-cd-1 ndk america, inc., crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 1000шт.
nx5032ga-20.000000mhz-ln-cd-1 johanson dielectrics inc., crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 120шт.
nx5032ga-20.000000mhz-ln-cd-1 ndk america, inc., crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 114шт.
nx5032ga-20.000000mhz-ln-cd-1 ndk, crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 1000шт.
nx5032ga-20.000000mhz-ln-cd-1 johanson dielectrics inc., crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 1000шт.
nx5032ga-20.000000mhz-ln-cd-1 ndk, crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 114шт.
nx5032ga-20.000m-std-csk-4 ndk america, inc., crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 105шт.
nx5032ga-20.000m-std-csk-4 ndk, crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 1000шт.
nx5032ga-20.000m-std-csk-4 ndk america, inc., crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 1000шт.
nx5032ga-20.000m-std-csk-4 ndk, crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 105шт.
nx5032ga-20.000m-std-csu-2 ndk america, inc., crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 1000шт.
nx5032ga-20.000m-std-csu-2 ndk america, inc., crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 51шт.
nx5032ga-20.000m-std-csu-2 ndk, crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 1000шт.
nx5032ga-20.000m-std-csu-2 ndk, crystal 20.0000mhz 8pf smd. мин.: 51шт.
pacvga200qr on semiconductor, vga port companion 75ohm 24qsop
vs-ga200sa60up vishay, sot227. мин.: 3шт.
vs-ga200sa60up vishay semiconductor diodes division, igbt 600v 200a 500w sot-227. мин.: 2шт.
akk/samsung a200 /288 liio asahi
bga2001 nxp/ph, bga2001 silicon mmic ampl
bga2001.115 nxp/ph
bga2001/t1 nxp/ph
bga2003 nxp/ph, bga2003 silicon mmic ampl
ga-200-220 unknown
ga-200-220 trec
ga-200-330 unknown
ga-200-330 trec
ga2002 castle group, ga 2002 general purpose v
ga2003 castle group, gh 2003 hand/arm risk mea
ga2008 castle group, general purpose vibration
ga200hs60s vish/ir
ga200sa60s vish/ir
ga200sa60s unknown
ga200sa60sp,igbt 600b 200а 1кгц sot227 vish/ir
ga200sa60u vish/ir
ga200sa60up vish/ir, igbt 600в/100а/200вт/uкэ нас.=1.6в >40кгц
ga200td120u vish/ir
ga200ts60u vish/ir
pacvga200qr ons, pacvga200qr, vga port com
tlp598ga (2006г.) unknown, (photocoupler, photo relay, dip-6)
vs-ga200sa60up vishay semiconductor, transistor igbt n-ch 600v
инфракрасный паяльно-ремонтный центр quick-bga2005 quick
инфракрасный паяльно-ремонтный центр quick-bga2005 unknown
сот шлейф samsung a200 (двойной) unknown
ga-2000m станок токарный с чпу goodway goodway
iga2008-aboa iga2008-aboa датчик индуктивный ig0012, металлический цилиндрический m18, дистанция 8 мм двухпроводный, 20-250vac/dc, кабель 2 м, efector100
vs-ga200sa60up vishay semiconductor
bga2003 nxp
ga200hs60s1
ga200sa60s
ga200sa60sp
ga200td120u
nx5032ga-20.000000mhz-ln-cd-1
vs-ga200hs60s1
vs-ga200hs60s1pbf
vs-ga200th60s
bga2001.115 nxp, компаратор
ga200kit2 набор providus
pacvga200qr ons
vs-ga200sa60up vish/ir, диод выпрямительный
1808ga200jat1a
1812ga200kat1a
bga2001 t/r
bga2001,115
bga2001,115-xyz
bga2002,115
bga2003
bga2003 t/r
bga2003,115
cvga200
ga200-001pd
ga200-005wd
ga200-010wd
ga200-015wd
ga2000
ga200dd120k
ga200hd120k
ga200hs60s
ga200hs60s1pbf
ga200hs60u
ga200ld120k
ga200ls60u
ga200md120u
ga200ns61u
ga200sa60up
ga200td120k
ga200ts60upbf
ga200ts60ux
irga200td120k
lfbga-200
lfbga200-1
lfbga200-2
lfbga200-3
lo5smtpg4-b0g-a2-00001
nx5032ga-20.000000mhz
om7600/bga2001/180
om7600/bga2001/1800
om7600/bga2001/900
om7619/bga2003
om7619/bga2003,598
pacvga200q
pacvga200qr
pga200ag
pga200bg
qga20014bw
bga2001,115 philips, mmic: silicon amplifier 4,5v 4ma 135mw 19,5db, 1,3ггцsot343 упаковка-3000
bga2003,115 philips, mmic: silicon amplifier 4,5v 10ma 135mw 19db, 1,8ггцsot343 упаковка-3000
ga-200-220 trec, алюминиевый электролитический конденсатор с расширенным температурным диапазоном, аксиальные выводы, россыпь
ga200kit2 набор providus, газовая горелка+ 2 баллона gasex (аналог map/pro), кейс
ina-51063 (philips-bga2001,115) philips, mmic: silicon amplifier 4,5v 4ma 135mw 19,5db, 1,3ггцsot343 упаковка-3000
upc2745 (philips-bga2001,115) philips, mmic: silicon amplifier 4,5v 4ma 135mw 19,5db, 1,3ггцsot343 упаковка-3000
upc2746 (philips-bga2001,115) philips, mmic: silicon amplifier 4,5v 4ma 135mw 19,5db, 1,3ггцsot343 упаковка-3000
vs-ga200sa60up vishay, igbt 600v 200a 500w sot-227
vs-ga200sa60up igbt-модуль vishay
vs-ga200sa60up, транзистор igbt 600в 100а 500вт, [sot-227] vishay, igbt транзисторы
vs-ga200sa60up (б/г) (ir) без/упак
1808ga200jat1a avx corporation, cap cer 20pf 2kv np0 1808
1812ga200kat1a avx corporation, cap cer 20pf 2kv np0 1812
bga2001 nxp
bga2001 sot343 nxp
bga2002,115 nxp usa inc., mmic amplifier sot343r
bga2003,115 nxp usa inc., mmic amplifier sot-343r
cvga200 fujitsu
cx3225ga20000d0ptvcc avx corp/kyocera corp, crystal 20.0000mhz 8pf smd
cx3225ga20000d0ptvcc avx, кристаллы 20000khz 8pf aec-q200
cx3225ga20000d0ptvz1 avx / kyocera, кристаллы 20000khz 8pf aec-q200
cx3225ga20000d0ptvz1 avx corp/kyocera corp, crystal 20.0000mhz 8pf smd
ga-200-220
ga200-001pd te connectivity measurement specialties, sensor transducer 0.250-4.5v pcb
ga200-005wd te connectivity measurement specialties, sensor press gauge 5″
ga200-010wd te connectivity measurement specialties, sensor press diff 10″
ga200-015wd te connectivity measurement specialties, sensor press gauge 15″
ga200hs60s vishay
ga200hs60s1 vishay
ga200hs60s1pbf vishay
ga200kit2 набор
ga200md120u vishay
ga200ns61u vishay
ga200sa60s vishay
ga200sa60s vishay semiconductor diodes division, igbt std 600v 100a sot227
ga200sa60sp vishay
ga200sa60u vishay semiconductor diodes division, igbt ufast 600v 100a sot227
ga200sa60u vishay
ga200td120u vishay
ga200ts60upbf vishay
ga200ts60ux vishay
ina-51063 (nxp-bga2001,115)
lfbga-200 infineon
lfbga200-1 infineon
lfbga200-3 infineon
nx3225ga-20.000m-std-crg-1 ndk america, inc., crystal 20.0000mhz 8pf smd
nx3225ga-20.000m-std-crg-2 ndk america, inc., crystal 20.0000mhz 8pf smd
nx5032ga-20.000000mhz-ln-cd-1 ndk america, inc., crystal 20.0000mhz 8pf smd
nx5032ga-20.000m-std-csk-4 ndk america, inc., crystal 20.0000mhz 8pf smd
nx5032ga-20.000m-std-csu-2 ndk america, inc., crystal 20.0000mhz 8pf smd
om7600/bga2001/1800 nxp usa inc., eval board for bga2001
om7600/bga2001/900 nxp usa inc., eval board for bga2001
om7619/bga2003 nxp usa inc., eval board for bga2003
pacvga2000 ssop cmd
pacvga200qr on semiconductor, устройства для управление питанием специального назначения — интегральные схемы управления питанием circuit w/ 75 ohm r 24-pin
pga200ag burr-brown
pga200bg burr-brown
upc2745 (nxp-bga2001,115)
upc2746 (nxp-bga2001,115)
vs-ga200hs60s1 vishay semiconductor diodes division, igbt 600v 480a 830w
vs-ga200hs60s1pbf vishay semiconductor diodes division, igbt 600v 480a 830w int-a-pak
vs-ga200sa60sp vishay semiconductor diodes division, module igbt sot-227
vs-ga200sa60up vishay semiconductors, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) n-ch 600 volt 100a
vs-ga200sa60up vishay semiconductor diodes division, igbt 600v 200a 500w sot-227
vs-ga200th60s vishay, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (igbt) output & sw modules — diap igbt
vs-ga200th60s vishay semiconductor diodes division, igbt 600v 260a 1042w int-a-pak
wga-200 eaton, fuse buss open link
wga-200-d eaton, fuse buss open link
ga200sa60sp,igbt 600b 200а 1кгц sot227 vishay/ir
ga200ts60u,2igbt 600в 200а 40кгц vishay/ir
akk/samsunga200/288 akm semiconductor/asahi kasei microsystems
bga2001 nxp semiconductors
bga2002 nxp semiconductors
bga2003 nxp semiconductors
ga200220 trec/transcend electrolytic
ga200330 trec/transcend electrolytic
ga200sa60s vishay intertechnology
ga200sa60sp vishay intertechnology
mstledtubega200840g13 nxp semiconductors
nx5032ga20000000mhz ndk/nihon dempa kogyo
om7600/bga2001/1800 nxp semiconductors
om7600/bga2001/900 nxp semiconductors
pacvga200q on semiconductor
vsga200hs60s1 vishay intertechnology
vsga200sa60sp vishay intertechnology
vsga200sa60up vishay intertechnology
zga200 дкс/диэлектрические кабельные системы =тверь
zga200g дкс/диэлектрические кабельные системы =тверь
1206ga200jat1a avx corporation
1808ga200jat1a avx corporation, cap cer 20pf 5% 2000v c0g 1808 емкость: 20pf · номинальное напряжение: 2000v (2kv) · допустимые отклонения емкости: ±5% · температурный коэфициент: c0g, np0 · тип монтажа: surface mount, mlcc · рабочая температура: -55°c ~ 125°c · функционал: high voltage
1808ga200jat1a-nd avx corporation, cap cer 20pf 2kv 5% np0 1808
1812ga200kat1a avx corporation, cap cer 20pf 10% 2000v c0g 18 емкость: 20pf · номинальное напряжение: 2000v (2kv) · допустимые отклонения емкости: ±10% · температурный коэфициент: c0g, np0 · тип монтажа: surface mount, mlcc · рабочая температура: -55°c ~ 125°c · функционал: high voltage
1812ga200kat1a-nd avx corporation, cap cer 20pf 2kv 10% np0 1812
803pga200 american microsemiconductor
803pga200a american microsemiconductor
akk/samsung a200 /288 asahi, a288lhколичество в упаковке: 1 шт
bga200-14-20 thomas & betts, 2" ground bushing alu
bga2001 philips [nxp semiconductors], silicon mmic amplifier
bga2001 t/r nxp semiconductors, mmic amplifier sot-343r
bga2001,115 nxp semiconductors, mmic amplifier sot-343r ток выходной: 3ma ~ 6ma · частота: 1.8ghz · усиление: 22db · коэффициент шума: 1.3db · корпус: sot-343r · тип rf: cellular, dect, phs, satv · частота проверки: 900mhz · напряжение питания: 4.5v
bga2001,115-xyz non franchised core, sot343 /mmic amplifier
bga2001115 04+
bga2001t/r nxp semiconductors
bga2002 nxp [nxp semiconductors], rf manual 16th edition
bga2002,115 nxp semiconductors, рч-усилитель 1ch 1.3dbm 4.5v 30ma
bga2002,115-nd nxp semiconductors, mmic amplifier sot343r
bga2003 glenair
bga2003 t/r nxp semiconductors, mmic amplifier sot-343r
bga2003,115 nxp semiconductors, mmic amplifier sot-343r ток выходной: 30ma · частота: 1.8ghz · усиление: 16db · коэффициент шума: 1.8db ~ 2db · корпус: sot-343r · тип rf: cellular, dect, phs, satv · частота проверки: 900mhz · напряжение питания: 4.5v
bga2003_2g_highiip3lna philips semiconductors
crm500ga-200 memsic
crm510ga-200 memsic
cvga200 fujitsu, zip
cx1255ga20000h0qtwz1 kyocera kinseki
cx3225ga20000d0ptvcc avx, кристаллы 20mhz, 8pf
cx3225ga20000d0ptvz1 avx [avx corporation], specification
cx3225ga20000d0ptwz1 kss [kyocera kinseki corpotation], 3.2??2.5mm for automotive
cx5032ga20000h0qswzz kss [kyocera kinseki corpotation], crystal units surface mount type
cx8045ga20000h0qtwz1 kss [kyocera kinseki corpotation], 8.0??4.5mm for automotive
cxb855ga20000h0qswzz kss [kyocera kinseki corpotation], crystal units surface mount type
dsx840ga20.000mhz kds
ga200 microsemi [microsemi corporation], scrs nanosecond switching, planar
ga200-001pd measurement specialties inc., sensor transducer 0.250-4.5v pcb серия: ares · тип давления: gauge · рабочее давление: 0 ~ 1 psi · размер входа: male, 0.13″ (3.302мм) tube, dual · выход: 0 ~ 4v · напряжение питания: 4.75 v ~ 5.25 v · тип вывода: pcb · корпус: 21.84 мм x 19.81 мм (0.86″
ga200-005wd measurement specialties inc., sensor transducer 0.250-4.5v pcb серия: ares · тип давления: gauge · рабочее давление: 0 ~ 5 psi · размер входа: male, 0.13″ (3.302мм) tube, dual · выход: 0 ~ 4v · напряжение питания: 4.75 v ~ 5.25 v · тип вывода: pcb · корпус: 21.84 мм x 19.81 мм (0.86″
ga200-010wd measurement specialties inc., sensor transducer 0.250-4.5v pcb серия: ares · тип давления: wc · рабочее давление: 0 ~ 10″ h2o · размер входа: male, 0.13″ (3.302мм) tube, dual · выход: 0 ~ 4v · напряжение питания: 4.75 v ~ 5.25 v · тип вывода: pcb · корпус: 21.84 мм x 19.81 мм (0.86″ x
ga200-015wd measurement specialties inc., sensor transducer 0.250-4.5v pcb серия: ares · тип давления: gauge · рабочее давление: 0 ~ 15 psi · размер входа: male, 0.13″ (3.302мм) tube, dual · выход: 0 ~ 4v · напряжение питания: 4.75 v ~ 5.25 v · тип вывода: pcb · корпус: 21.84 мм x 19.81 мм (0.86″
ga2000 motorola, dip
ga200a microsemi [microsemi corporation], scrs nanosecond switching, planar
ga200dd120k irгѓж’гўв‚¬лњгѓвўгўвђљв¬гўв‚¬е“гѓж’гўв‚¬еўгѓвђљг‚в§гѓж’гўв‚¬лњгѓ
ga200hd120k irгѓж’гўв‚¬лњгѓвўгўвђљв¬гўв‚¬е“гѓж’гўв‚¬еўгѓвђљг‚в§гѓж’гўв‚¬лњгѓ
ga200hs60s vishay/semiconductors, module igbt int-a-pak напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600в · vce(on) (max) @ vge, ic: 1.25v @ 15v, 200a · ток коллектора (макс): 470a · ток отсечки коллетора (vfrc): 1ma · емкость @ vce: 32.5nf @ 30v · мощность макcимальная: 830w · вход: ст
ga200hs60s1 vishay, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (igbt) 200 volt 200 amp
ga200hs60s1pbf vishay, half-bridge igbt-modul / 600v
ga200hs60spbf ir (international rectifier)
ga200hs60u irгѓж’гўв‚¬лњгѓвўгўвђљв¬гўв‚¬е“гѓж’гўв‚¬еўгѓвђљг‚в§гѓж’гўв‚¬лњгѓ
ga200ld120k irгѓж’гўв‚¬лњгѓвўгўвђљв¬гўв‚¬е“гѓж’гўв‚¬еўгѓвђљг‚в§гѓж’гўв‚¬лњгѓ
ga200ls60u irгѓж’гўв‚¬лњгѓвўгўвђљв¬гўв‚¬е“гѓж’гўв‚¬еўгѓвђљг‚в§гѓж’гўв‚¬лњгѓ
ga200md120u vishay/semiconductors, igbt dual 1200v 200a in-a-pak напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200v · ток коллектора (макс): 200a · ntc термистор: нет · тип монтажа: chassis mount · корпус: int-a-pak dual (3 + 2)
ga200ns61u vishay/semiconductors, igbt fast 1200v 200a int-a-pak напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600в · vce(on) (max) @ vge, ic: 2.2v @ 15v, 200a · ток коллектора (макс): 200a · мощность макcимальная: 625w · тип входа: стандарт · тип монтажа: chassis mount · корпус: int-a-p
ga200sa60s vishay/semiconductors, igbt std 600v 100a sot227 напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600в · vce(on) (max) @ vge, ic: 1.3v @ 15v, 100a · ток коллектора (макс): 200a · мощность макcимальная: 630w · тип входа: стандарт · тип монтажа: chassis mount · корпус: sot-227
ga200sa60s-nd vishay semiconductor diodes division, igbt std 600v 100a sot227
ga200sa60sp vishay, standard speed igbt im isotop
ga200sa60spbf ir (international rectifier)
ga200sa60u vishay/semiconductors, igbt ufast 600v 100a sot227 напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600в · vce(on) (max) @ vge, ic: 1.9v @ 15v, 100a · ток коллектора (макс): 200a · мощность макcимальная: 500w · тип входа: стандарт · тип монтажа: chassis mount · корпус: sot-227
ga200sa60u-nd vishay semiconductor diodes division, igbt ufast 600v 100a sot227
ga200sa60up vishay, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) n-ch 600 volt 100a
ga200sa60upbf ir (international rectifier)
ga200t8r1sz sharp electrionic components
ga200td120k glenair, 200a/1200v/igbt/2u
ga200td120u vishay/semiconductors, igbt fast 1200v 200a int-a-pak напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200v · vce(on) (max) @ vge, ic: 3.1v @ 15v, 200a · ток коллектора (макс): 200a · ток отсечки коллетора (vfrc): 2ma · емкость @ vce: 37.343nf @ 30v · мощность макcимальная: 1040
ga200td120upbf ir (international rectifier)
ga200ts60u vishay/semiconductors, igbt fast 600v 200a int-a-pak напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600в · vce(on) (max) @ vge, ic: 2.2v @ 15v, 200a · ток коллектора (макс): 200a · ток отсечки коллетора (vfrc): 1ma · емкость @ vce: 20.068nf @ 30v · мощность макcимальная: 625w ·
ga200ts60upbf vishay, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (igbt) 600 volt 200 amp
ga200ts60ux vishay, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (igbt) 600 volt 200 amp
irga200td120k irгѓж’гўв‚¬лњгѓвўгўвђљв¬гўв‚¬е“гѓж’гўв‚¬еўгѓвђљг‚в§гѓж’гўв‚¬лњгѓ
ispxpga200 lattice [lattice semiconductor], ispxpga family
ispxpga200e lattice [lattice semiconductor], ispxpga family
lfbga-200 infineon, bga
lfbga200-1 infineon, bga
lfbga200-2 glenair, bga-200d
lfbga200-3 infineon, bga
lo5smtpg4-b0g-a2-00001 cre, led,green,527nm (dom.),>1100mcd/20ma
nx3225ga-20.000m-std-crg-1 ndk, crystal 20.0 mhz 8pf smd
nx3225ga-20.000m-std-crg-2 ndk, crystal 20.0 mhz 8pf smd
nx5032ga 20.000mhz ndk
nx5032ga-20.000000mhz ndk, crystal 20.000000 mhz smd 8pf серия: nx5032ga · тип: кварцевый · частота: 20mhz · допуск по частоте: ±50ppm · емкостная нагрузка: 8pf · рабочий режим: fundamental · рабочая температура: -10°c ~ 70°c · тип монтажа: поверхностный монтаж · корпус: 5.0мм x 3.
nx5032ga-20.000m-std-csk-4 ndk, crystal 20.0 mhz 8pf smd
om7600/bga2001/180 nxp semiconductors, средства разработки интегральных схем (ис) усилителей gp mmic demo board
om7600/bga2001/1800 nxp semiconductors, eval board for bga2001 тип: amplifier, ммic · частота: 1.8ghz · поддержка: board
om7600/bga2001/900 nxp semiconductors, eval board for bga2001 тип: amplifier, ммic · частота: 1.8ghz · поддержка: board
om7619/bga2003 nxp semiconductors, eval board for bga2003 тип: amplifier, ммic · частота: 1.8ghz · поддержка: board
om7619/bga2003,598 nxp semiconductors, средства разработки интегральных схем (ис) усилителей gp mmic demo board
pacvga200 onsemi [on semiconductor], vga port companion circuit
pacvga2000
pacvga200q cmd
pacvga200q(vga200q)
pacvga200qr on semiconductor, подавители статического заряда circuit w/ 75 ohm r 24-pin
pacvga200qrosct-nd on semiconductor, vga port companion 75ohm 24qsop
pacvga200qrosdkr-nd on semiconductor, vga port companion 75ohm 24qsop
pacvga200qrostr-nd on semiconductor, vga port companion 75ohm 24qsop
pacvga200vga200aqc24
pga2003ag bb, cdip14 95+
pga2003bg bb, cdip15
pga2005i ti, 09+
pga200ag burr-brown, dip
pga200bg burr-brown, dip
pga200sg bb, aucdip
qga20010 gps, plcc68
qga20010bn
qga20010bw ., 09+ plcc-68
qga20012 gps, plcc68
qga20012ba gps
qga20014bv
qga20014bw glenair
qga2001bw
sme1082abga-200r
sz3ga200 ssdi [solid states devices, inc], 3.0 w and 4.0 w 7.5 — 510 volts zener diodes
tega200a topstek [topstek inc.], topstek current transducers
tru050gacga20.000/10.000mhz
vga200aqc24(pacvga200) california, 0521+
vga200aqc24pacvga
vs-ga200hs60s1pbf vishay, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (igbt) 200 volt 200 amp
vs-ga200hs60s1pbf-nd vishay semiconductor diodes division, igbt 600v 480a 830w int-a-pak
vs-ga200sa60sp vishay, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) n-ch 600 volt 100a
vs-ga200sa60sp-nd vishay semiconductor diodes division, module igbt sot-227
vs-ga200sa60up vishay [vishay siliconix], insulated gate bipolar transistor (ultrafast speed igbt), 100 a
vs-ga200sa60up-nd vishay semiconductor diodes division, igbt 600v 200a 500w sot-227
vs-ga200th60s-nd vishay semiconductor diodes division, igbt 600v 260a 1042w int-a-pak
wga-200 bussmann / eaton, плавкие предохранители специального назначения buss open link fuse
wga-200-d bussmann / eaton, плавкие предохранители специального назначения buss open link fuse
wga2008s2.048mhz
1k-vga20-00.5s
1k-vga20-01s
1k-vga20-02s
1k-vga20-03s
1k-vga20-04s
1k-vga20-05s
1k-vga20-06s
1k-vga20-07s
1k-vga20-08s
1k-vga20-09s
1808ga200jat1a avx corporation, cap cer 20pf 2kv 5% np0 1808
1812ga200kat1a avx corporation, cap cer 20pf 2kv 10% np0 1812
bga2001 philips [nxp semiconductors], silicon mmic amplifie
bga2001 t/r philips semiconductors
bga2001,115 nxp semiconductors, рч-усилитель mmamplifier
bga2002 nxp [nxp semiconductors], manual 16th editio
bga2003 philips [nxp semiconductors], silicon mmic amplifie
bga2003,115 nxp semiconductors, mmic amplifier sot-343r
cx3225ga20000d0ptvz1 avx [avx corporation], кристаллы 20mhz, 8pf
cx3225ga20000d0ptwz1 kss [kyocera kinseki corpotation], 3.2????2.5mm for automotiv
cx5032ga20000h0qswzz kss [kyocera kinseki corpotation], crystal units surface mount typ
cx8045ga20000h0qtwz1 kss [kyocera kinseki corpotation], 8.0????4.5mm for automotiv
cxb855ga20000h0qswzz kss [kyocera kinseki corpotation], crystal units surface mount typ
ga200 microsemi [microsemi corporation], scrs nanosecond switching, plana
ga200-001pd measurement specialties inc., sensor transducer 0.250-4.5v pcb
ga200-005wd measurement specialties inc., sensor press gauge 5″ h2o 3sip
ga200-010wd measurement specialties inc., sensor press diff 10″ h2o 3sip
ga200-015wd measurement specialties inc., sensor press gauge 15″ h2o 3sip
ga200a microsemi [microsemi corporation], scrs nanosecond switching, plana
ga200dd120k ir, 07+;
ga200hd120k ir, 07+;
ga200hs60s irf [international rectifier], half-bridge igbt int-a-pa
ga200hs60s1 irf [international rectifier]
ga200hs60s1pbf international rectifier, 200a/600v/igbt/2u
ga200hs60u ir, 07+;
ga200ld120k ir, 07+;
ga200ls60u ir, 07+;
ga200ns61u irf [international rectifier], high side switch chopper module ultra-fast speed igb
ga200sa60s irf [international rectifier]
ga200sa60sp irf [international rectifier]
ga200sa60u irf [international rectifier]
ga200sa60up vishay [vishay siliconix]
ga200td120k ir, 07+;
ga200td120u irf [international rectifier]
ga200ts60u irf [international rectifier], half-bridge igbt int-a-pak ultra-fast speed igb
ga200ts60ux irf [international rectifier], ultra-fasttm speed igb
irga200td120k irгѓж’гўв‚¬лњгѓвўгўвђљв¬гўв‚¬е“гѓж’гўв‚¬еўгѓвђљг‚в
ispxpga200 lattice [lattice semiconductor], ispxpga famil
ispxpga200e lattice [lattice semiconductor], ispxpga famil
lfbga-200 infineon, 09+ bga
lfbga200-1 09+
lfbga200-2 infineon, 09+ bga-200
nx5032ga-20.000000mhz ndk, crystal 20.000000 mhz smd 8pf серия: nx5032ga · тип: кварцевый · частота: 20mhz · допуск по частоте: ±50ppm · емкостная нагрузка: 8pf · рабочий режим: fundamental · рабочая температура: -10°c ~ 70°c ·
om7600/bga2001/1800 nxp semiconductors, eval board for bga2001
om7600/bga2001/900 nxp, радиочастотные средства разработки gp mmic demo board
om7619/bga2003 nxp semiconductors, eval board for bga2003
pacvga200 calmirco [california micro devices corp], vga port companion circui
pacvga200q calmirco [california micro devices corp], vga port companion circui
pacvga200qr onsemi [on semiconductor], подавители статического заряда circuit w/ 75 ohm r 24-pin
pga200ag bb, cdip14 88+
pga200bg cdip14
sz3ga200 ssdi [solid states devices, inc], 3.0 and 4.0 7.5 510 volts zener diode
tega200a topstek [topstek inc.], topstek current transducer
vs-ga200hs60s1pbf vishay semiconductors, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (igbt) 200 volt 200 amp
vs-ga200sa60sp vishay semiconductors, биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) n-ch 600 volt 100a
vs-ga200sa60up vishay [vishay siliconix], биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt) n-ch 600 volt 100a
3sb3930-0ga20-0pa0 siemens, accessory / spare part round, 22mm: flat button for illumin. pushbutton and-switch red, solvent-resistant not inscribable with laser
6es7194-4ga20-0aa0 siemens, simatic dp, носитель модулей, узкая версия, для модулей ввода-вывода et 200pro продажа по метражу, подготовка к использованию — пользователем, длина: 2000 mm
6sl3263-1ga20-0ga0 siemens, sinamics g110d адаптер для sirius m200d
bga200-14-20 thomas & betts, 2 inch ground bushing alu
bga2001 nxp [nxp semiconductors], silicon mmic amplifie
bga2001 t/r philips semiconductors, mmic amplifier sot-343r
bga2003 nxp [nxp semiconductors], silicon mmic amplifie
cx3225ga20000d0ptvcc avx corporation, кристаллы 20000khz 8pf aec-q200
cx3225ga20000d0ptvz1 avx [avx corporation], кристаллы 20000khz 8pf aec-q200
ga200 digitron [digitron semiconductors], scrs nanosecond switching, plana
ga200-001pd msi (measurement specialties, inc.), sensor transducer 0.250-4.5v pcb серия: ares · тип давления: gauge · рабочее давление: 0 ~ 1 psi · размер входа: male, 0.13″ (3.302мм) tube, dual · выход: 0 ~ 4v · напряжение питания: 4.75 v ~ 5.25 v · тип вывода: pcb · корпус: 21.84 мм x 19.81 мм (0.86″
ga200-005wd msi (measurement specialties, inc.), sensor transducer 0.250-4.5v pcb серия: ares · тип давления: gauge · рабочее давление: 0 ~ 5 psi · размер входа: male, 0.13″ (3.302мм) tube, dual · выход: 0 ~ 4v · напряжение питания: 4.75 v ~ 5.25 v · тип вывода: pcb · корпус: 21.84 мм x 19.81 мм (0.86″
ga200-010wd msi (measurement specialties, inc.), sensor transducer 0.250-4.5v pcb серия: ares · тип давления: wc · рабочее давление: 0 ~ 10″ h2o · размер входа: male, 0.13″ (3.302мм) tube, dual · выход: 0 ~ 4v · напряжение питания: 4.75 v ~ 5.25 v · тип вывода: pcb · корпус: 21.84 мм x 19.81 мм (0.86″ x
ga200-015wd msi (measurement specialties, inc.), sensor transducer 0.250-4.5v pcb серия: ares · тип давления: gauge · рабочее давление: 0 ~ 15 psi · размер входа: male, 0.13″ (3.302мм) tube, dual · выход: 0 ~ 4v · напряжение питания: 4.75 v ~ 5.25 v · тип вывода: pcb · корпус: 21.84 мм x 19.81 мм (0.86″
ga200a digitron [digitron semiconductors], scrs nanosecond switching, plana
ga200hs60s1 irf [international rectifier], half-bridge igbt int-a-pak standard speed igb
ga200hs60s1pbf vishay intertechnology, half-bridge igbt-modul / 600v
ga200sa60s vishay [vishay siliconix], insulated gate bipolar transisto
ga200sa60sp vishay [vishay siliconix], insulated gate bipolar transisto
ga200sa60u irf [international rectifier], insulated gate bipolar transisto
ga200sa60up vishay [vishay siliconix], insulated gate bipolar transistor (ultrafast speed igbt), 10
ga200td120u irf [international rectifier], half-bridge igbt double int-a-pa
ga200ts60upbf vishay intertechnology, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (igbt) 600 volt 200 amp
nx3225ga-20.000m-std-crg-1 ndk, crystal 20.0000mhz 8pf smd
nx3225ga-20.000m-std-crg-2 ndk, crystal 20.0000mhz 8pf smd
nx5032ga-20.000000mhz-ln-cd-1 ndk, crystal 20.0000mhz 8pf smd
nx5032ga-20.000m-std-csk-4 ndk, crystal 20.0000mhz 8pf smd
nx5032ga-20.000m-std-csu-2 ndk, crystal 20.0000mhz 8pf smd
om7600/bga2001/180 philips semiconductors, средства разработки интегральных схем (ис) усилителей gp mmic demo board
om7600/bga2001/900 nxp, bga2001, silicon mmic amplifier, demo board; silicon manufacturer:nxp; silicon core number:-; kit application type:amplifier; application sub type:rf module; kit contents:demonstration board only; pro
pacvga200 onsemi [on semiconductor], vga port companion circui
pacvga200qr onsemi [on semiconductor], управление питанием — специального назначения circuit w/ 75 ohm r 24-pin
pacvga200qrosct on semiconductor
pacvga200qrosdkr on semiconductor
pacvga200qrostr on semiconductor
pga200ag ti (texas instruments), dip
pga200bg ti (texas instruments), dip
vs-ga200sa60sp vishay, igbt, sot-227; dc collector current:200a; collector emitter saturation voltage vce(on):1.1v; power dissipation pd:630w; collector emitter voltage v(br)ceo:600v; transistor case style:isotop; no. of pi
vs-ga200sa60up. vishay, igbt, sot-227; transistor polarity:n channel; dc collector current:200a; collector emitter saturation voltage vce(on):1.6v; power dissipation pd:500w; collector emitter voltage v(br)ceo:600v; transist
vs-ga200sa60up.. vishay, single igbt, 600v, 200a; transistor polarity:n channel; dc collector current:200a; collector emitter saturation voltage vce(on):1.92v; power dissipation pd:500w; collector emitter voltage v(br)ceo:600
vs-ga200th60s vishay semiconductor diodes division, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (igbt) output & sw modules — diap igbt
wga-200 eaton, плавкие предохранители специального назначения buss open link fuse
wga-200-d eaton, плавкие предохранители специального назначения buss open link fuse