модуль Диодно-тиристорный Модули полупроводниковые силовые Диодно-тиристорные МFC 40A800V datasheet даташит модули полупроводниковые силовые диодно-тиристорные mfc(a) mfc(c) mfa mfk 25 a 55 a 70 a 90 a 600 v 800 v 1200 v 1400 v 1600 v 1800 v 4 диодно-тиристорные, ЧИТАТЬ ДАЛЕЕ
Метка: Силовые
тиристоры , диоды, симисторы
тиристоры , диоды, симисторы каталог, описание, технические, характеристики, datasheet, параметры, маркировка,габариты, фото, даташит, силовые, электрокомпоненты ,тиристоры , диоды, симисторы , аналоги , замена , electrical, components, thyristors, diodes, triacs, analogues, модуль, каталог, описание, технические, характеристики, datasheet, параметры, маркировка,габариты, фото, даташит, ЧИТАТЬ ДАЛЕЕ
силовые реле
силовые реле Реле: 13F-1 (JQX-13F1) 24VDC 10A реле промежуточное chint jqx—13f реле наименование реле jqx-13f купить jqx-13f аналог jqx-13f 220v-1h hhc68 jqx-13f jqx 13f 2c a 24vdc 1 реле jqx-13f купить реле jqx-13f my3cld-1 5a-250vac реле jqx-13f характеристики реле jqx-13f ly3 ЧИТАТЬ ДАЛЕЕ
Реле, автомобильные, YLE, Минск
Реле, автомобильные, силовые, промежуточные, YLE, Реле, автомобильные, YLE, Минск каталог, описание, технические, характеристики, datasheet, параметры, маркировка, габариты, фото
texas-instruments, csd18537nq5at, mosfet-n-channel-60v-50a-vson,
TEXAS INSTRUMENTS CSD18537NQ5AT МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 60 В, 0.01 Ом, 10 В, 3 В
nxp, bzb984-c3v3-115, diode-zener-3-3v-5-sot-663-reel,
NEXPERIA BZB984-C3V3,115 Массив диодов Зенера, 3.3 В, Двойной Общий Анод, 425 мВт, 150 °C, SOT-663
vishay, sud50n03-12p-e3, mosfet-n-d-pak,
VISHAY SUD50N03-12P-E3 МОП-транзистор, N Канал, 17.5 А, 30 В, 12 мОм, 10 В, 3 В
nxp, pdta123tmb, trans-pnp-w-res-50v-sot883b,
NEXPERIA PDTA123TMB Биполярный транзистор, PNP, -50 В, 180 МГц, 250 мВт, -100 мА, 30 hFE
te-connectivity-kilovac, ev500-5b, power-relay-spst-24vdc-750a-panel,
KILOVAC — TE CONNECTIVITY EV500-5B POWER RELAY, SPST, 24VDC, 750A, PANEL
texas-instruments, uln2803an, darlington-transistor-array,
TEXAS INSTRUMENTS ULN2803AN Массив биполярных транзисторов, дарлингтона, NPN, 50 В, 500 мА, DIP