Метка: 1.5 В

on-semiconductor, tf412st5g, n-channel-jfet-30v-sot-883-3,

Минск, Обновлено: 3 декабря 2024г., 00:00

ON SEMICONDUCTOR TF412ST5G ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -30 В, 1.2 мА, 3 мА, -1.5 В, SOT-883, JFET

vishay, sis468dn-t1-ge3, mosfet-n-ch-80v-ppak-1212,

Минск, Обновлено: 3 декабря 2024г., 00:00

VISHAY SIS468DN-T1-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 80 В, 0.016 Ом, 10 В, 1.5 В

rohm, rtr025n03fratl, mosfet-aec-q101-n-ch-30v-2-5a,

Минск, Обновлено: 3 декабря 2024г., 00:00

ROHM RTR025N03FRATL МОП-транзистор, N Канал, 2.5 А, 30 В, 0.066 Ом, 4.5 В, 1.5 В

nxp, pmxb56en, mosfet-n-ch-30v-3-2a-dfn1010d,

Минск, Обновлено: 3 декабря 2024г., 00:00

PMXB56EN МОП-транзистор, N Канал, 3.2 А, 30 В, 0.049 Ом, 10 В, 1.5 В

nxp, ip4252cz16-8, diode-esd-8-ch-pas-fil-sot985,

Минск, Обновлено: 3 декабря 2024г., 00:00

NEXPERIA IP4252CZ16-8 Защитное устройство от ЭСР, SOT-985-1, 16 вывод(-ов), 1.5 В, 200 мВт

infineon, ipd70n03s4l04atma1, mosfet-n-ch-30v-70a-to252-3,

Минск, Обновлено: 3 декабря 2024г., 00:00

INFINEON IPD70N03S4L04ATMA1 МОП-транзистор, AEC-Q101, N Канал, 70 А, 30 В, 0.0036 Ом, 10 В, 1.5 В

fairchild-semiconductor, fdb86102lz, mosfet-n-ch-100v-30a-to-263,

Минск, Обновлено: 3 декабря 2024г., 00:00

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB86102LZ МОП-транзистор, N Канал, 30 А, 100 В, 0.018 Ом, 10 В, 1.5 В

panasonic-electronic-components, lr03ege-4bp, battery-alkaline-evolta-aaa-4pk,

Минск, Обновлено: 3 декабря 2024г., 00:00

PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS LR03EGE/4BP Батарея, Evolta, упаковка из 4, Щелочной, 1.5 В, AAA