NEXPERIA PMPB95ENEA МОП-транзистор, N Канал, 2.8 А, 80 В, 0.08 Ом, 10 В, 1.7 В
Метка: 1.7 В
on-semiconductor, mgsf1n02lt1g, mosfet-n-sot-23,
ON SEMICONDUCTOR MGSF1N02LT1G МОП-транзистор, N Канал, 750 мА, 20 В, 0.075 Ом, 10 В, 1.7 В
infineon, ipg20n06s4l26atma1, mosfet-dual-n-ch-60v-20a-tdson,
INFINEON IPG20N06S4L26ATMA1 Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 20 А, 60 В, 0.021 Ом, 10 В, 1.7 В
fairchild-semiconductor, fds8884, mosfet-n-channel-30v-8-5a-soic,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8884 МОП-транзистор, N Канал, 8.5 А, 30 В, 19 мОм, 10 В, 1.7 В
fairchild-semiconductor, es3j, diode-rectifier-3a-600v-do-214ab,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ES3J Силовой диод быстрого действия, 600 В, 3 А, Одиночный, 1.7 В, 45 нс, 100 А
infineon, irgps46160dpbf, igbt-600v-240a-to-274aa-3,
INFINEON IRGPS46160DPBF БТИЗ транзистор, 240 А, 1.7 В, 750 Вт, 600 В, TO-274AA, 3 вывод(-ов)
stmicroelectronics, sts4dnf60l, mosfet-n-ch-60v-0-045ohm-4a-soic,
STMICROELECTRONICS STS4DNF60L Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 4 А, 60 В, 0.045 Ом, 10 В, 1.7 В
fairchild-semiconductor, fdt86113lz, mosfet-n-ch-100v-3-3a-sot-223,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT86113LZ МОП-транзистор, N Канал, 3.3 А, 100 В, 0.075 Ом, 10 В, 1.7 В
taiwan-semiconductor, us1m, rectifier-single-1kv-1a-do-214ac,
TAIWAN SEMICONDUCTOR US1M Силовой диод быстрого действия, 1 кВ, 1 А, Одиночный, 1.7 В, 75 нс, 30 А Новинка
stmicroelectronics, std30nf03lt4, mosfet-n-ch-30v-30a-dpak,
STMICROELECTRONICS STD30NF03LT4 МОП-транзистор, N Канал, 15 А, 30 В, 0.02 Ом, 4.5 В, 1.7 В