fairchild-semiconductor, fds8884, mosfet-n-channel-30v-8-5a-soic,

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8884 МОП-транзистор, N Канал, 8.5 А, 30 В, 19 мОм, 10 В, 1.7 В

fairchild-semiconductor, es3j, diode-rectifier-3a-600v-do-214ab,

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ES3J Силовой диод быстрого действия, 600 В, 3 А, Одиночный, 1.7 В, 45 нс, 100 А

infineon, irgps46160dpbf, igbt-600v-240a-to-274aa-3,

INFINEON IRGPS46160DPBF БТИЗ транзистор, 240 А, 1.7 В, 750 Вт, 600 В, TO-274AA, 3 вывод(-ов)

stmicroelectronics, sts4dnf60l, mosfet-n-ch-60v-0-045ohm-4a-soic,

STMICROELECTRONICS STS4DNF60L Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 4 А, 60 В, 0.045 Ом, 10 В, 1.7 В

fairchild-semiconductor, fdt86113lz, mosfet-n-ch-100v-3-3a-sot-223,

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT86113LZ МОП-транзистор, N Канал, 3.3 А, 100 В, 0.075 Ом, 10 В, 1.7 В

taiwan-semiconductor, us1m, rectifier-single-1kv-1a-do-214ac,

TAIWAN SEMICONDUCTOR US1M Силовой диод быстрого действия, 1 кВ, 1 А, Одиночный, 1.7 В, 75 нс, 30 А Новинка

stmicroelectronics, std30nf03lt4, mosfet-n-ch-30v-30a-dpak,

STMICROELECTRONICS STD30NF03LT4 МОП-транзистор, N Канал, 15 А, 30 В, 0.02 Ом, 4.5 В, 1.7 В

nxp, psmn1r6-30bl, mosfet-n-ch-30v-100a-d2pak,

NEXPERIA PSMN1R6-30BL МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 30 В, 0.00158 Ом, 10 В, 1.7 В

infineon, irgs4610dpbf, igbt-single-600v-16a-to-263,

INFINEON IRGS4610DPBF БТИЗ транзистор, 16 А, 1.7 В, 77 Вт, 600 В, TO-263, 3 вывод(-ов)