stmicroelectronics, iis2dhtr, accelerometer-digital-o-p-lga,

STMICROELECTRONICS IIS2DHTR МЭМС акселерометр, I2C/SPI, Цифровой, X, Y, Z, ± 2g, ± 4g, ± 8g, ± 16g, 1.71 В, 3.6 В, LGA

stmicroelectronics, lsm6ds0tr, acc-gyro-3d-16g-2000dps-lga-16,

STMICROELECTRONICS LSM6DS0TR МЭМС модуль, Трехосевой Гироскоп, Трехосевой Акселерометр, 1.71 В, 3.6 В, LGA, 16 вывод(-ов)

silicon-labs, si1142-a11-gmr, proximity-ambient-light-sensor,

SILICON LABS SI1142-A11-GMR Бесконтактный датчик, Открытый Сток, 500 мм, QFN, 10 вывод(-ов), 1.71 В, 3.6 В

texas-instruments, ldc0851hdsgt, inductive-touch-sensor-wson-8,

TEXAS INSTRUMENTS LDC0851HDSGT Индуктивный датчик касания, дифференциальный, 450 мкс, 1.71 В, 3.46 В, WSON

cypress-semiconductor, cy8cmbr3116-lqxi, capacitive-touch-sensor-1ch-qfn,

CYPRESS SEMICONDUCTOR CY8CMBR3116-LQXI Емкостный сенсорный датчик, I2C, 1.71 В, 5.5 В, QFN, 24 вывод(-ов), -40 °C

stmicroelectronics, lsm6ds0, 3d-gyroscope-accelerometer-lga,

STMICROELECTRONICS LSM6DS0 МЭМС модуль, Трехосевой Гироскоп, Трехосевой Акселерометр, 1.71 В, 3.6 В, LGA, 16 вывод(-ов)

silicon-labs, si1141-a11-gmr, proximity-ambient-light-sensor,

SILICON LABS SI1141-A11-GMR Бесконтактный датчик, Открытый Сток, 500 мм, QFN, 10 вывод(-ов), 1.71 В, 3.6 В

stmicroelectronics, iis2dhtr, accelerometer-digital-o-p-lga,

STMICROELECTRONICS IIS2DHTR МЭМС акселерометр, I2C/SPI, Цифровой, X, Y, Z, ± 2g, ± 4g, ± 8g, ± 16g, 1.71 В, 3.6 В, LGA

cypress-semiconductor, cy8cmbr3102-sx1i, capacitive-touch-sensor-1ch-soic,

CYPRESS SEMICONDUCTOR CY8CMBR3102-SX1I Емкостный сенсорный датчик, I2C, 1.71 В, 5.5 В, SOIC, 8 вывод(-ов), -40 °C

silicon-labs, si1141-a11-gmr, proximity-ambient-light-sensor,

SILICON LABS SI1141-A11-GMR Бесконтактный датчик, Открытый Сток, 500 мм, QFN, 10 вывод(-ов), 1.71 В, 3.6 В