TEXAS INSTRUMENTS LDC0851HDSGT Индуктивный датчик касания, дифференциальный, 450 мкс, 1.71 В, 3.46 В, WSON
Метка: 1.71 В
stmicroelectronics, lsm303agrtr, mems-3d-accelero-magneto-lga-12,
STMICROELECTRONICS LSM303AGRTR МЭМС модуль, 3D, Трехосевой Акселерометр, Трехосевой Магнитометр, 1.71 В, 3.6 В, LGA, 12 вывод(-ов) Новинка
silicon-labs, si1143-a11-gmr, proximity-ambient-light-sensor,
SILICON LABS SI1143-A11-GMR Бесконтактный датчик, Открытый Сток, 500 мм, QFN, 10 вывод(-ов), 1.71 В, 3.6 В
stmicroelectronics, lis2dh, accelerometer-3-axis-digital-lga,
STMICROELECTRONICS LIS2DH МЭМС акселерометр, Трехосевой, Цифровой, X, Y, Z, ± 2g, ± 4g, ± 8g, ± 16g, 1.71 В, 3.6 В, LGA
nxp, fxln8371qr1, accelerometer-3-axis-qfn-12,
NXP FXLN8371QR1 МЭМС акселерометр, аналоговый выход, Аналоговый, X, Y, Z, ± 2g, ± 8g, 1.71 В, 3.6 В, QFN
stmicroelectronics, lps331aptr, sensor-pressure-0-26-1-26kbar,
STMICROELECTRONICS LPS331APTR Датчик Давления, Абсолютный, 260 мбар, 1.26 бар, 1.71 В, 3.6 В
cypress-semiconductor, cy8cmbr3108-lqxi, capacitive-touch-sensor-1ch-qfn,
CYPRESS SEMICONDUCTOR CY8CMBR3108-LQXI Емкостный сенсорный датчик, I2C, 1.71 В, 5.5 В, QFN, 16 вывод(-ов), -40 °C
stmicroelectronics, lis2de, mems-accelerometer-digital-lga,
STMICROELECTRONICS LIS2DE МЭМС акселерометр, Трехосевой, Цифровой, X, Y, Z, ± 2g, ± 4g, ± 8g, ± 16g, 1.71 В, 3.6 В, LGA
nxp, mma9551lt, sensor-gesture-prog-4-5kb-16lga,
NXP MMA9551LT МЭМС акселерометр, обнаружение движения, Цифровой, X, Y, Z, ± 2g, ± 4g, ± 8g, 1.71 В, 1.89 В, LGA
stmicroelectronics, lps331aptr, sensor-pressure-0-26-1-26kbar,
STMICROELECTRONICS LPS331APTR Датчик Давления, Абсолютный, 260 мбар, 1.26 бар, 1.71 В, 3.6 В