Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ST MICROELECTRONICS M48Z08-100PC1 Микросхема памяти; NV SRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28
Метка: 100нс
ST MICROELECTRONICS,M48Z08-100PC1
ST MICROELECTRONICS,M48T18-100PC1 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ST MICROELECTRONICS M48T18-100PC1 Микросхема памяти; NV SRAM; 8Кx8бит; 100нс; DIP28
MAXIM-DALLAS,DS1642-100+ 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: MAXIM-DALLAS DS1642-100+ Микросхема памяти; NV SRAM; 2Кx8бит; 4,5?5,5В; 100нс; DIP24
ST MICROELECTRONICS,M48T08-100PC 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ST MICROELECTRONICS M48T08-100PC Микросхема памяти; NV SRAM; 8Кx8бит; 4,75?5,5В; 100нс; DIP28
texas-instruments, cd14538bm, logic-dual-prec-multivib-16soic,
TEXAS INSTRUMENTS CD14538BM Моностабильный мультивибратор, CD4538, 100нс, 6.8мА, 3В до 18В, SOIC-16
texas-instruments, uc2705d, driver-mosfet-single-soic-8,
TEXAS INSTRUMENTS UC2705D ИС драйвера МОП-транзистора, драйвер, низкой стороны, питание 5В-40В, 1.5А, 100нс, SOIC-8
ON SEMICONDUCTOR,MUR880EG 
Категория: Универсальные диоды THT Технические характеристики,описание: ON SEMICONDUCTOR MUR880EG Диод: выпрямительный; 800В; 8А; 16А; TO220AC; 100нс; 1,14?1,39мм
VISHAY,BYT56M 
Категория: Универсальные диоды THT Технические характеристики,описание: VISHAY BYT56M Диод: выпрямительный; 1000В; 3А; SOD64; 100нс
ST MICROELECTRONICS,M48Z18-100PC
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ST MICROELECTRONICS M48Z18-100PC Микросхема памяти; NV SRAM; 8Кx8бит; 4,5?5,5В; 100нс; DIP28
ST MICROELECTRONICS,M48Z08-100PC
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ST MICROELECTRONICS M48Z08-100PC Микросхема памяти; VRAM; parallel; 8Кx8бит; 100нс; DIP28