Метка: 1024×16бит

ALLIANCE MEMORY,AS6C1616-70BIN Запоминающие уст-ва SRAM параллельные,ALLIANCE MEMORY,AS6C1616-70BIN

Минск, Обновлено: 02 августа 2024г., 00:00

Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C1616-70BIN Микросхема памяти; SRAM; 1024×16бит; 3?3,6В; 70нс; TFBGA48

ALLIANCE MEMORY,AS6C1616-55TIN Запоминающие уст-ва SRAM параллельные,ALLIANCE MEMORY,AS6C1616-55TIN

Минск, Обновлено: 02 августа 2024г., 00:00

Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C1616-55TIN Микросхема памяти; SRAM; 1024×16бит; 3?3,6В; 55нс; TSOP48

ALLIANCE MEMORY,AS6C1616A-55BINTR Запоминающие уст-ва SRAM параллельные,ALLIANCE MEMORY,AS6C1616A-55BINTR

Минск, Обновлено: 02 августа 2024г., 00:00

Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C1616A-55BINTR Микросхема памяти; synchronous; SRAM; 1024×16бит; 3,3В; 55нс

ALLIANCE MEMORY,AS6C1616-70BINTR Запоминающие уст-ва SRAM параллельные,ALLIANCE MEMORY,AS6C1616-70BINTR

Минск, Обновлено: 02 августа 2024г., 00:00

Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C1616-70BINTR Микросхема памяти; synchronous; SRAM; 1024×16бит; 3,3В; 70нс

ALLIANCE MEMORY,AS6C1616-55TINTR Запоминающие уст-ва SRAM параллельные,ALLIANCE MEMORY,AS6C1616-55TINTR

Минск, Обновлено: 02 августа 2024г., 00:00

Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C1616-55TINTR Микросхема памяти; synchronous; SRAM; 1024×16бит; 3,3В; 55нс

MICROCHIP TECHNOLOGY,93C86BT-E/OT Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,93C86BT-E/OT

Минск, Обновлено: 02 августа 2024г., 00:00

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 93C86BT-E/OT Микросхема памяти; EEPROM; Microwire; 1024×16бит; 4,5?5,5В; 3МГц

MICROCHIP TECHNOLOGY,93LC86B-I/SN Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,93LC86B-I/SN

Минск, Обновлено: 02 августа 2024г., 00:00

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 93LC86B-I/SN Микросхема памяти; EEPROM; Microwire; 1024×16бит; 2,5?5,5В; 3МГц

MICROCHIP TECHNOLOGY,93LC86BT-I/OT Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,93LC86BT-I/OT

Минск, Обновлено: 02 августа 2024г., 00:00

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 93LC86BT-I/OT Микросхема памяти; EEPROM; Microwire; 1024×16бит; 2,5?5,5В; 3МГц

MICROCHIP TECHNOLOGY,93AA86B-I/SN Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,93AA86B-I/SN

Минск, Обновлено: 02 августа 2024г., 00:00

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 93AA86B-I/SN Микросхема памяти; EEPROM; Microwire; 1024×16бит; 1,8?5,5В; 3МГц

ALLIANCE MEMORY,AS6C1616A-55BIN Запоминающие уст-ва SRAM параллельные,ALLIANCE MEMORY,AS6C1616A-55BIN

Минск, Обновлено: 02 августа 2024г., 00:00

Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C1616A-55BIN Микросхема памяти; SRAM; 1024×16бит; 3?3,6В; 55нс; TFBGA48