167Вт — Минск +375447584780 Viber telegram whatsapp Skype

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR,HGTG12N60A4D

17.04.201717.04.2017 Минск, Обновлено: 17 декабря 2024г., 00:00

Категория: Модули IGBT Технические характеристики,описание: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG12N60A4D Транзистор: IGBT; 600В; 54А; 167Вт; TO247

INTERNATIONAL RECTIFIER,IRL1104SPBF

17.04.201717.04.2017 Минск, Обновлено: 17 декабря 2024г., 00:00

Категория: Транзисторы с каналом N SMD Технические характеристики,описание: INTERNATIONAL RECTIFIER IRL1104SPBF Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 40В; 104А; 167Вт

ADVANCED POWER ELECTRONICS,AP60T10GS-HF-3TR

17.04.201717.04.2017 Минск, Обновлено: 17 декабря 2024г., 00:00

Категория: Транзисторы с каналом N SMD Технические характеристики,описание: ADVANCED POWER ELECTRONICS AP60T10GS-HF-3TR Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 100В; 67А; 167Вт; TO263

ADVANCED POWER ELECTRONICS,AP60T10GP-HF-3TB

17.04.201717.04.2017 Минск, Обновлено: 17 декабря 2024г., 00:00

Категория: Транзисторы с каналом N THT Технические характеристики,описание: ADVANCED POWER ELECTRONICS AP60T10GP-HF-3TB Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 100В; 67А; 167Вт; TO220

ADVANCED POWER ELECTRONICS,AP60T10GS-HF-3TR

17.04.201717.04.2017 Минск, Обновлено: 17 декабря 2024г., 00:00

INTERNATIONAL RECTIFIER,IRGB8B60KPBF

17.04.201717.04.2017 Минск, Обновлено: 17 декабря 2024г., 00:00

Категория: Транзисторы IGBT THT Технические характеристики,описание: INTERNATIONAL RECTIFIER IRGB8B60KPBF Транзистор: IGBT; 600В; 28А; 167Вт; TO220AB