ixys-rf, ixz210n50l, mosfet-n-rf-de275,

IXYS RF IXZ210N50L РЧ полевой транзистор, 500 В, 10 А, 470 Вт, 175 МГц, DE-275

exar, xr8052amp8mtr, opamp-175mhz-190v-us-500uv-msop,

EXAR XR8052AMP8MTR Операционный усилитель, двойной, 2 Усилителя, 175 МГц, 190 В/мкс, 2.7В до 12.6В, MSOP, 8 вывод(-ов)

diodes-inc, fzt653, transistor-npn-sot-223,

DIODES INC. FZT653 Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 175 МГц, 2 Вт, 2 А, 200 hFE

exar, xr8051ast5x, opamp-175mhz-190v-us-500uv-tsot,

EXAR XR8051AST5X Операционный усилитель, одиночный, 1 Усилитель, 175 МГц, 190 В/мкс, 2.7В до 12.6В, TSOT

diodes-inc, fzt651, transistor-npn-60v-3a-sot-223,

DIODES INC. FZT651 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 175 МГц, 2 Вт, 3 А, 200 hFE

exar, xr8051aso8mtr, opamp-175mhz-190v-us-500uv-soic,

EXAR XR8051ASO8MTR Операционный усилитель, одиночный, 1 Усилитель, 175 МГц, 190 В/мкс, 2.7В до 12.6В, SOIC

diodes-inc, dxtn07100bp5-13, trans-npn-100v-2a-powerdi5,

DIODES INC. DXTN07100BP5-13 Биполярный транзистор, POWERDI®5, NPN, 100 В, 175 МГц, 3.2 Вт, 2 А, 200 hFE

nxp, pbss4041nt, transistor-npn-60v-3-8a-sot23,

NEXPERIA PBSS4041NT Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 175 МГц, 390 мВт, 3.8 А, 500 hFE

diodes-inc, fzt653, transistor-npn-sot-223,

DIODES INC. FZT653 Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 175 МГц, 2 Вт, 2 А, 200 hFE

exar, xr8051ast5x, opamp-175mhz-190v-us-500uv-tsot,

EXAR XR8051AST5X Операционный усилитель, одиночный, 1 Усилитель, 175 МГц, 190 В/мкс, 2.7В до 12.6В, TSOT