LITTELFUSE 0312005.MXP Предохранитель, картриджный, Серия 312, 5 А, 250 В, 6.3мм x 32мм, 1/4″ x 1-1/4″, 200 А
Метка: 200 А
stmicroelectronics, stps200170tv1, diode-schottky-2x100a-170v,
STMICROELECTRONICS STPS200170TV1 Модуль диода, 170 В, 200 А, 630 мВ, Двойной Изолированный, STPS2 Series
on-semiconductor, ntmfs5c430nlt1g, mosfet-n-ch-40v-200a-dfn-5,
ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C430NLT1G МОП-транзистор, N Канал, 200 А, 40 В, 0.0012 Ом, 10 В, 2 В
fairchild-semiconductor, fdb0300n1007l, mosfet-n-ch-100v-200a-to-263-7,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB0300N1007L МОП-транзистор, N Канал, 200 А, 100 В, 0.0024 Ом, 10 В, 2.7 В
fuji-electric, 2mbi200u4h-120-50, igbt-2-pack-mod-1200v-200a-m234,
FUJI ELECTRIC 2MBI200U4H-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 200 А, 2.05 В, 1.04 кВт, 1.2 кВ, Module
stmicroelectronics, stth200w03tv1, diode-ultrafast-2x100a-300v-isotop,
STMICROELECTRONICS STTH200W03TV1 Модуль диода, 300 В, 200 А, 1.8 В, Двойной Изолированный, STTH2 Series