DIODES INC. ZXTN25012EFLT Биполярный транзистор, с большим усилением, NPN, 12 В, 260 МГц, 350 мВт, 5 А, 800 hFE
Метка: 260 МГц
nxp, bfs19-215, transistor-bipol-npn-20v-sot-23,
BFS19,215 Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 260 МГц, 250 мВт, 30 мА, 65 hFE
on-semiconductor, bc327-40zl1g, transistor-pnp-45v-800ma-to-92,
ON SEMICONDUCTOR BC327-40ZL1G Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 260 МГц, 1.5 Вт, -800 мА, 250 hFE
on-semiconductor, bc327-25zl1g, transistor-pnp-45v-to-92,
ON SEMICONDUCTOR BC327-25ZL1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 260 МГц, 625 мВт, 800 мА, 160 hFE
diodes-inc, 2dd2652-7, transistor-npn-sot323-0-3w,
DIODES INC. 2DD2652-7 Биполярный транзистор, NPN, 12 В, 260 МГц, 300 мВт, 500 мА, 270 hFE
lattice-semiconductor, lc4032ze-7mn64i, cpld-32mc-1-8v-ispmach-64csbga,
LATTICE SEMICONDUCTOR LC4032ZE-7MN64I CPLD, 32, 32 I/O, BGA, 64 вывод(-ов), 260 МГц
rohm, uml4ntr, dual-transistor-pnp-digital,
ROHM UML4NTR Биполярный транзистор, PNP, -12 В, 260 МГц, 120 мВт, -500 мА, 270 hFE