ANALOG DEVICES ADIS16201CCCZ МЭМС акселерометр, двухосевой, Цифровой, X, Y, ± 1.7g, 3 В, 3.6 В, LGA
Метка: 3 В
vishay, sud50n03-12p-e3, mosfet-n-d-pak,
VISHAY SUD50N03-12P-E3 МОП-транзистор, N Канал, 17.5 А, 30 В, 12 мОм, 10 В, 3 В
stmicroelectronics, stp23nm50n, mosfet-n-ch-500v-17a-to-220,
STMICROELECTRONICS STP23NM50N МОП-транзистор, N Канал, 17 А, 500 В, 0.162 Ом, 10 В, 3 В
stmicroelectronics, std14nm50n, mosfet-n-ch-500v-12a-dpak,
STMICROELECTRONICS STD14NM50N МОП-транзистор, N Канал, 12 А, 500 В, 0.28 Ом, 10 В, 3 В
microchip, emc1701-2-aizl-tr, current-sensor-high-side-msop,
MICROCHIP EMC1701-2-AIZL-TR Датчик Тока, высокой стороны, 950 мкА, MSOP, 10 вывод(-ов), 3 В, 24 В
infineon, spp20n60c3hksa1, mosfet-n-coolmos-650v-20-7v-to,
INFINEON SPP20N60C3HKSA1 Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20.7 А, 650 В, 190 мОм, 10 В, 3 В
vishay, si7850dp-t1-e3, mosfet-n-so-8,
VISHAY SI7850DP-T1-E3 МОП-транзистор, N Канал, 10.3 А, 60 В, 22 мОм, 10 В, 3 В
vishay, si4925ddy-t1-ge3, mosfet-pp-ch-30v-8a-so8,
VISHAY SI4925DDY-T1-GE3 Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -8 А, -30 В, 24 мОм, -10 В, -3 В
fairchild-semiconductor, rfd12n06rlesm, mosfet-n-d-pak,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD12N06RLESM МОП-транзистор, N Канал, 17 А, 60 В, 70 мОм, 10 В, 3 В
nxp, psmn027-100ps, mosfet-n-ch-100v-37a-to-220ab,
NEXPERIA PSMN027-100PS МОП-транзистор, N Канал, 37 А, 100 В, 21 мОм, 10 В, 3 В