FUJI ELECTRIC FMW79N60S1HF Силовой МОП-транзистор, N Канал, 68 А, 600 В, 0.034 Ом, 10 В, 3 В
Метка: 3 В
texas-instruments, csd18537nq5at, mosfet-n-channel-60v-50a-vson,
TEXAS INSTRUMENTS CSD18537NQ5AT МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 60 В, 0.01 Ом, 10 В, 3 В
nxp, buk7y13-40b, mosfet-n-ch-40v-58a-sot669,
BUK7Y13-40B МОП-транзистор, N Канал, 58 А, 40 В, 13 мОм, 10 В, 3 В
nxp, bsh114-215, mosfet-n-ch-100v-0-85a-sot-23,
BSH114,215 МОП-транзистор, N Канал, 500 мА, 100 В, 0.4 Ом, 10 В, 3 В
infineon, auirfsl8407, mosfet-40v-195a-q101-to-262,
INFINEON AUIRFSL8407 МОП-транзистор, N Канал, 195 А, 40 В, 10 В, 3 В
exar, xr17d154cv-f, uart-quad-pci-64b-fifo-144lqfp,
EXAR XR17D154CV-F UART интерфейс, 4 канала, 6.25 Мбит/с, 3 В, 5.5 В, LQFP, 144 вывод(-ов)
infineon, ipp111n15n3gxksa1, mosfet-n-ch-150v-83a-to-220-3,
INFINEON IPP111N15N3GXKSA1 МОП-транзистор, N Канал, 83 А, 150 В, 0.0094 Ом, 10 В, 3 В
on-semiconductor, esd5381mut5g, diode-esd-protection-3v-12pf,
ON SEMICONDUCTOR ESD5381MUT5G Защитное устройство от ЭСР, 10.5 В, X3DFN2, 2 вывод(-ов), 3 В, 300 мВт
FTDI,TTL-232R-3V3-WE 
Категория: Модули FTDI Технические характеристики,описание: FTDI TTL-232R-3V3-WE Модуль: проводной встроенный; провод; USB A; Uвх./вых:3,3 В
renata, cr2450-nrv-lf, cell-lithium-button-3pin-3v,
RENATA CR2450 NRV-LF Батарея, круглая, одноэлементная, Литиевый Диоксид Марганца, 540 мАч, 3 В, 2450, Штыри, 24.5 мм