NXP PMBFJ176,215 ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, 2 мА, 35 мА, 4 В
Метка: 35 мА
nxp, bfr93a, transistor-rf-npn-12v-35ma-sot,
NXP BFR93A Биполярный — РЧ транзистор, NPN, 12 В, 6 ГГц, 300 мВт, 35 мА, 90 hFE
stmicroelectronics, t1635-600g, triac-16a-600v-d2pak,
STMICROELECTRONICS T1635-600G Триак, 600 В, 16 А, TO-263, 35 мА, 1.3 В, 1 Вт
imatronic, ldm145p-670-1, laser-diode-module-p-lens,
IMATRONIC LDM145P/670/1 Лазерный модуль, 670 нм, 900 мкВт, 5 В, 5мм x 5мм, 35 мА
infineon, bfr840l3rhesde6327xtsa1, rf-transistor-npn-2-25v-75ghz,
INFINEON BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Биполярный — РЧ транзистор, NPN, 2.25 В, 75 ГГц, 75 мВт, 35 мА, 150 hFE
stmicroelectronics, t435-700b-tr, triac-700v-4a-to-252,
STMICROELECTRONICS T435-700B-TR Триак, 700 В, 4 А, TO-252, 35 мА, 1.3 В
imatronic, 1266-03-000, gated-cameo-laser-650nm-0-8mw,
IMATRONIC 1266-03-000 Лазерный модуль, Cameo, 650 нм, 800 мкВт, 5 В, Коллиматорная, 35 мА
stmicroelectronics, tyn840rg, scr-800v-40a-to220ab,
STMICROELECTRONICS TYN840RG Тиристор, 800 В, 35 мА, 25 А, 40 А, TO-220AB, 3 вывод(-ов)