TAIWAN SEMICONDUCTOR ES3H Быстрый / ультрабыстрый диод, 500 В, 3 А, Одиночный, 1.7 В, 35 нс, 100 А Новинка
Метка: 35 нс
diodes-inc, es2g, diode-rectif-s-fast-2a-400v-smb,
DIODES INC. ES2G Быстрый / ультрабыстрый диод, 400 В, 2 А, Одиночный, 1.3 В, 35 нс, 50 А
taiwan-semiconductor, es1b, rectifier-single-100v-1a-do-214ac,
TAIWAN SEMICONDUCTOR ES1B Быстрый / ультрабыстрый диод, 100 В, 1 А, Одиночный, 950 мВ, 35 нс, 30 А Новинка
on-semiconductor, murh860ctg, diode-power-rectifier-uf,
ON SEMICONDUCTOR MURH860CTG Силовой диод быстрого действия, 600 В, 4 А, Двойной Общий Катод, 2.8 В, 35 нс, 100 А
on-semiconductor, surs8120t3g, rectifier-aec-q101-2a-200v-do,
ON SEMICONDUCTOR SURS8120T3G Быстрый / ультрабыстрый диод, 200 В, 2 А, 875 мВ, 35 нс, 40 А Новинка
on-semiconductor, murd320t4g, rectifier-3a-200v-to-263,
ON SEMICONDUCTOR MURD320T4G Быстрый / ультрабыстрый диод, 200 В, 3 А, Одиночный, 950 мВ, 35 нс, 75 А
multicomp, es2j, rectifier-single-2a-600v-do-214aa,
MULTICOMP ES2J+ Силовой диод быстрого действия, 600 В, 2 А, Одиночный, 1.7 В, 35 нс, 50 А Новинка
multicomp, es2b, diode-ultra-fast-2a-100v,
MULTICOMP ES2B Быстрый / ультрабыстрый диод, 100 В, 2 А, Одиночный, 900 мВ, 35 нс, 50 А
nxp, byv29fd-600, diode-ultrafast-9a-600v-dpak,
NXP BYV29FD-600 Силовой диод быстрого действия, 600 В, 9 А, Одиночный, 1.9 В, 35 нс, 100 А
on-semiconductor, mur420rlg, diode-ultrafast-4a-200v,
ON SEMICONDUCTOR MUR420RLG Быстрый / ультрабыстрый диод, 200 В, 4 А, Одиночный, 890 мВ, 35 нс, 125 А