fairchild-semiconductor, 2n6520ta, transistor-bipol-pnp-350v-to-92,

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N6520TA Биполярный транзистор, PNP, -350 В, 200 МГц, 625 мВт, 20 hFE

bourns, 2057-35-bt1lf, gas-discharge-tube-350v,

BOURNS 2057-35-BT1LF Газоразрядная трубка (GDT), для легких условий эксплуатации, Серия 2057, 350 В, Осевые Выводы, 5 кА

epcos, b72660m0271k072, varistor-4032-21-0j-275vac,

EPCOS B72660M0271K072 TVS-варистор, 275 В, 350 В, Серия B726, 710 В, 4032, Металлооксидный Варистор (MOV)

stmicroelectronics, bu941zp, transistor-npn-darl-to-247,

STMICROELECTRONICS BU941ZP Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 155 Вт, 12 А, 300 hFE

epcos, b72214p2351k101, varistor-metal-oxide-910v-disc,

EPCOS B72214P2351K101 TVS-варистор, 350 В, 460 В, B722 AdvanceD-MP S14 Series, 910 В, Диск 16.5мм

on-semiconductor, mjl4281ag, transistor-npn-350v-30a-to264,

ON SEMICONDUCTOR MJL4281AG Биполярный транзистор, аудио, NPN, 350 В, 35 МГц, 230 Вт, 15 А, 80 hFE

bourns, tisp4s350t3bjr-s, thyristor-350v-80a-smb,

BOURNS TISP4S350T3BJR-S TVS-тиристор, 2 вывод(-ов), DO-214AA, Защитное Устройство от Перенапряжения, 350 В, 1 схем(-а)

bourns, 2029-35-sm-rplf, gas-discharge-tube-350v-smd,

BOURNS 2029-35-SM-RPLF Газоразрядная трубка (GDT), для тяжелых условий эксплуатации, Серия 2029, 350 В, 2-контактный SMD

epcos, b72660m0271k072, varistor-4032-21-0j-275vac,

EPCOS B72660M0271K072 TVS-варистор, 275 В, 350 В, Серия B726, 710 В, 4032, Металлооксидный Варистор (MOV)

bourns, 2049-35-bt1lf, gas-discharge-tube-350v-15ka,

BOURNS 2049-35-BT1LF Газоразрядная трубка (GDT), 2 электрода, Серия 2049, 350 В, Осевые Выводы, 15 кА, 900 В