Категория: Стабилизаторы напряжения нерегулируемые Технические характеристики,описание: ST MICROELECTRONICS L78L33ABD Стабилизатор напряжения; нерегулируемый; 3,3В; 0,1А; SO8; SMD
Метка: 3В
ST MICROELECTRONICS,L78L33ABD
LAMINA,R22-10-02-RO 
Категория: Резьбовые универсальные диоды Технические характеристики,описание: LAMINA R22-10-02-RO Диод: выпрямительный; 200В; 2,3В; 10А; DO4; M5; анод на корпусе
NXP,BZV55-C3V3.115 
Категория: Стабилитроны SMD Технические характеристики,описание: NXP BZV55-C3V3.115 Диод: стабилитрон; 0,5Вт; 3,3В; SMD; MiniMELF; лента
INTERNATIONAL RECTIFIER,IR21531PBF 
Категория: Драйверы — интегральные схемы Технические характеристики,описание: INTERNATIONAL RECTIFIER IR21531PBF Driver; MOSFET; 625,3В; Выходы:2; DIP8
ALLIANCE MEMORY,AS7C3256A-12JINTR 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C3256A-12JINTR Микросхема памяти; asynchronous; SRAM; 32Кx8бит; 3,3В; 12нс; SOJ28
ISSI,IS62WV25616BLL-55TLI 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ISSI IS62WV25616BLL-55TLI Микросхема памяти; SRAM; 256Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44
ALLIANCE MEMORY,AS7C3256A-15TINTR 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C3256A-15TINTR Микросхема памяти; asynchronous; SRAM; 32Кx8бит; 3,3В; 15нс
ALLIANCE MEMORY,AS7C31025C-12JINTR 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C31025C-12JINTR Микросхема памяти; asynchronous; SRAM; 128Кx8бит; 3,3В; 12нс
ALLIANCE MEMORY,AS4C16M16S-6TIN 
Категория: Запомин. уст-ва DRAM — интеграль. схемы Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS4C16M16S-6TIN Микросхема памяти; SDRAM; 16Mx16бит; 3,3В; 6нс; TSOP54
SAMSUNG,CL31A226KQHNNNE 
Категория: Конденсаторы MLCC SMD 1206 Технические характеристики,описание: SAMSUNG CL31A226KQHNNNE Конденсатор: керамический; MLCC; 22мкФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 1206