Категория: Резьбовые универсальные диоды Технические характеристики,описание: LAMINA R22-10-10-RO Диод: выпрямительный; 1000В; 2,3В; 10А; DO4; M5; анод на корпусе
Метка: 3В
LAMINA,R22-10-10-RO
DC COMPONENTS,BZV55C3V3 
Категория: Стабилитроны SMD Технические характеристики,описание: DC COMPONENTS BZV55C3V3 Диод: стабилитрон; 0,5Вт; 3,3В; SMD; MiniMELF; лента
INTERNATIONAL RECTIFIER,IR2153SPBF 
Категория: Драйверы — интегральные схемы Технические характеристики,описание: INTERNATIONAL RECTIFIER IR2153SPBF Driver; MOSFET; 625,3В; 625мВт; Выходы:2; SO8
ALLIANCE MEMORY,AS7C3256A-12TCNTR 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C3256A-12TCNTR Микросхема памяти; asynchronous; SRAM; 32Кx8бит; 3,3В; 12нс
ISSI,IS61LV6416-10TLI 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ISSI IS61LV6416-10TLI Микросхема памяти; SRAM; 64Кx16бит; 3,3В; 10нс; TSOP44
ALLIANCE MEMORY,AS7C34096A-10TINTR 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C34096A-10TINTR Микросхема памяти; asynchronous; SRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 10нс
ALLIANCE MEMORY,AS7C31026B-10TCNTR
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C31026B-10TCNTR Микросхема памяти; asynchronous; SRAM; 64Кx16бит; 3,3В; 10нс
ALLIANCE MEMORY,AS4C4M16S-7TCN 
Категория: Запомин. уст-ва DRAM — интеграль. схемы Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS4C4M16S-7TCN Микросхема памяти; SDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 7нс; TSOP54
SAMSUNG,CL31A476MQHNNNE 
Категория: Конденсаторы MLCC SMD 1206 Технические характеристики,описание: SAMSUNG CL31A476MQHNNNE Конденсатор: керамический; MLCC; 47мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 1206
MURATA,GRM31CR60J476ME19L 
Категория: Конденсаторы MLCC SMD 1206 Технические характеристики,описание: MURATA GRM31CR60J476ME19L Конденсатор: керамический; MLCC; 47мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 1206