Категория: Стабилизаторы напряжения нерегулир. LDO Технические характеристики,описание: TEXAS INSTRUMENTS LM2937IMP-3.3 Стабилизатор напряжения; LDO, нерегулируемый; 3,3В; 0,5А; SOT223
Метка: 3В
TEXAS INSTRUMENTS,LM2937IMP-3.3
ST MICROELECTRONICS,L78L33ABUTR 
Категория: Стабилизаторы напряжения нерегулир. LDO Технические характеристики,описание: ST MICROELECTRONICS L78L33ABUTR Стабилизатор напряжения; LDO, нерегулируемый; 3,3В; 0,1А; SOT89
TOSHIBA,TA8214K 
Категория: Стабилизаторы напряжения нерегулируемые Технические характеристики,описание: TOSHIBA TA8214K Стабилизатор напряжения; нерегулируемый; 8,3В; 0,1А; SIL7; THT
NXP,PESD3V3S2UT.215 
Категория: Диоды transil SMD двунаправленные Технические характеристики,описание: NXP PESD3V3S2UT.215 Диод: защитный; 330Вт; 3,3В; двунаправленная; SOT23
NXP,BZX84-C4V3.215
Категория: Стабилитроны SMD Технические характеристики,описание: NXP BZX84-C4V3.215 Диод: стабилитрон; 0,3Вт; 4,3В; SMD; SOT23
INTERNATIONAL RECTIFIER,IR2161SPBF 
Категория: Драйверы — интегральные схемы Технические характеристики,описание: INTERNATIONAL RECTIFIER IR2161SPBF Driver; MOSFET; 500мА; 625,3В; Выходы:2; SO8
ALLIANCE MEMORY,AS7C31025B-10TJCNTR 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C31025B-10TJCNTR Микросхема памяти; asynchronous; SRAM; 128Кx8бит; 3,3В; 10нс
RENESAS,R1LV1616RBG-5SI 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: RENESAS R1LV1616RBG-5SI Микросхема памяти; SRAM; 2Mx8/1Mx16бит; 3,3В; 55нс; CSP48
ALLIANCE MEMORY,AS7C3256B-10JINTR 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C3256B-10JINTR Микросхема памяти; asynchronous; SRAM; 32Кx8бит; 3,3В; 10нс; SOJ28
ALLIANCE MEMORY,AS7C31026B-15TCNTR 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C31026B-15TCNTR Микросхема памяти; asynchronous; SRAM; 64Кx16бит; 3,3В; 15нс