ALLIANCE MEMORY AS6C4008-55SIN SRAM, 4 Мбит, 512К x 8бит, 2.7В до 5.5В, SOP, 32 вывод(-ов), 55 нс
Метка: 512К x 8бит
cypress-semiconductor, cy62148ev30ll-45bvxi, static-ram-4mbit-45ns-vfbga-36,
CYPRESS SEMICONDUCTOR CY62148EV30LL-45BVXI SRAM, 4 Мбит, 512К x 8бит, 2.2В до 3.6В, VFBGA, 36 вывод(-ов), 45 нс
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY,IDT7201LA25TP
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY IDT7201LA25TP Микросхема памяти; FIFO; 512К x 8бит; 5В; DIP28
atmel, at27c040-70pu, otp-prom-4m-5v-27c040-pdip32,
ATMEL AT27C040-70PU EPROM, программируемая 4 раз, 70нс, 512K x 8бит, 1Мбит, 4.5В до 5.5В, DIP-32
microchip, sst39vf040-70-4i-whe, memory-flash-4mbit-parl-32tsop,
MICROCHIP SST39VF040-70-4I-WHE Флеш память, 4 Мбит, 512К x 8бит, 14 МГц, Параллельный, TSOP, 32 вывод(-ов)
microchip, sst25wf040b-40i-sn, flash-4mbit-40mhz-soic-8,
MICROCHIP SST25WF040B-40I/SN Флеш память, последовательная, 4 Мбит, 512К x 8бит, 40 МГц, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)
lyontek, ly62w5128sl-55lli, sram-4m-512kx8-2-7-5-5v-32sop,
LYONTEK LY62W5128SL-55LLI SRAM, 4 Мбит, 512К x 8бит, 2.7В до 5.5В, SOIC, 32 вывод(-ов), 55 нс