Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C38098A-10BIN Микросхема памяти; SRAM; 512Кx16бит; 3?3,6В; 10нс; BGA48
Метка: 512Кx16бит
ALLIANCE MEMORY,AS6C8016A-55BIN
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C8016A-55BIN Микросхема памяти; SRAM; 512Кx16бит; 3?3,6В; 55нс; TFBGA48
ALLIANCE MEMORY,AS6C8016A-55ZIN
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C8016A-55ZIN Микросхема памяти; SRAM; 512Кx16бит; 3?3,6В; 55нс; TSOP44 II
ALLIANCE MEMORY,AS6C8016-55ZIN
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C8016-55ZIN Микросхема памяти; SRAM; 512Кx16бит; 2,7?5,9В; 55нс; TSOP44 II
ALLIANCE MEMORY,AS6C8016-55BIN
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C8016-55BIN Микросхема памяти; SRAM; 512Кx16бит; 2,7?5,11В; 55нс; TFBGA48
ISSI,IS62WV51216BLL-55TLI
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ISSI IS62WV51216BLL-55TLI Микросхема памяти; SRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44
ALLIANCE MEMORY,AS6C8016A-55ZINTR
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C8016A-55ZINTR Микросхема памяти; synchronous; SRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс
BRILLIANCE SEMICONDUCTOR INC.,BS616LV801EIP55
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: BRILLIANCE SEMICONDUCTOR INC. BS616LV801EIP55 Микросхема памяти; SRAM; 512Кx16бит; 2,4?5,5В; 55нс; TSOP44 II
ALLIANCE MEMORY,AS6C8016A-55BINTR
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C8016A-55BINTR Микросхема памяти; synchronous; SRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс
ALLIANCE MEMORY,AS7C38098A-10ZIN
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C38098A-10ZIN Микросхема памяти; SRAM; 512Кx16бит; 3?3,6В; 10нс; TSOP44 II