MICROCHIP TECHNOLOGY,93AA66CX-I/SN Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,93AA66CX-I/SN

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 93AA66CX-I/SN Микросхема памяти; EEPROM; Microwire; 512×8/256×16бит; 1,8?5,5В

MICROCHIP TECHNOLOGY,93C66C-I/SN Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,93C66C-I/SN

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 93C66C-I/SN Микросхема памяти; EEPROM; Microwire; 512×8/256×16бит; 4,5?5,5В

MICROCHIP TECHNOLOGY,93AA66CT-I/MC Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,93AA66CT-I/MC

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 93AA66CT-I/MC Микросхема памяти; EEPROM; Microwire; 512×8/256×16бит; 1,8?5,5В

MICROCHIP TECHNOLOGY,93C66C-I/MS Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,93C66C-I/MS

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 93C66C-I/MS Микросхема памяти; EEPROM; Microwire; 512×8/256×16бит; 4,5?5,5В

MICROCHIP TECHNOLOGY,93AA66C-I/P Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,93AA66C-I/P

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 93AA66C-I/P Микросхема памяти; EEPROM; Microwire; 512×8/256×16бит; 1,8?5,5В

MICROCHIP TECHNOLOGY,93C66C-I/P Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,93C66C-I/P

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 93C66C-I/P Микросхема памяти; EEPROM; Microwire; 512×8/256×16бит; 4,5?5,5В

MICROCHIP TECHNOLOGY,93AA66CT-I/ST Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,93AA66CT-I/ST

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 93AA66CT-I/ST Микросхема памяти; EEPROM; Microwire; 512×8/256×16бит; 1,8?5,5В