Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C8016-55BIN Микросхема памяти; SRAM; 512Кx16бит; 2,7?5,11В; 55нс; TFBGA48
Метка: 55нс
ALLIANCE MEMORY,AS6C1008-55TINLTR
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C1008-55TINLTR Микросхема памяти; synchronous; SRAM; 128Кx8бит; 2,7?5,5В; 55нс
ALLIANCE MEMORY,AS6C8008-55BIN
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C8008-55BIN Микросхема памяти; SRAM; 1024Кx8бит; 2,7?5,7В; 55нс; TFBGA48
ALLIANCE MEMORY,AS6C2016-55BIN
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C2016-55BIN Микросхема памяти; SRAM; 128Кx16бит; 2,7?5,5В; 55нс; TFBGA48
ALLIANCE MEMORY,AS6C1008-55TINL
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C1008-55TINL Микросхема памяти; SRAM; 128Кx8бит; 2,7?5,5В; 55нс; TSOP32
ALLIANCE MEMORY,AS6C1008-55SINL
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C1008-55SINL Микросхема памяти; SRAM; 128Кx8бит; 2,7?5,5В; 55нс; SOP32; 450mils
RENESAS,R1LV1616RBG-5SI
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: RENESAS R1LV1616RBG-5SI Микросхема памяти; SRAM; 2Mx8/1Mx16бит; 3,3В; 55нс; CSP48
ALLIANCE MEMORY,AS6C2016-55BINTR
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C2016-55BINTR Микросхема памяти; synchronous; SRAM; 128Кx16бит; 2,7?5,5В; 55нс
ALLIANCE MEMORY,AS6C4008-55TIN
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C4008-55TIN Микросхема памяти; SRAM; 512Кx8бит; 2,7?5,5В; 55нс; TSOP32
ALLIANCE MEMORY,AS6C8016A-55ZINTR
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C8016A-55ZINTR Микросхема памяти; synchronous; SRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс