Категория: Запомин. уст-ва DRAM — интеграль. схемы Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS4C4M16S-6TINTR Микросхема памяти; SDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 6нс; TSOP54
Метка: 6нс
ALLIANCE MEMORY,AS4C4M16S-6TINTR
ALTERA,EP1C12F324C6N 
Категория: Программируемые интеграль. схемы ALTERA Технические характеристики,описание: ALTERA EP1C12F324C6N Микросхема: FPGA; 12к; 6нс; FBGA324; Серия: Cyclone
ALTERA,EPM240ZM68C6N 
Категория: Программируемые интеграль. схемы ALTERA Технические характеристики,описание: ALTERA EPM240ZM68C6N Микросхема: CPLD; 240; 6нс; MBGA68; Серия: Max IIZ
ALLIANCE MEMORY,AS4C16M16S-6TINTR 
Категория: Запомин. уст-ва DRAM — интеграль. схемы Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS4C16M16S-6TINTR Микросхема памяти; SDRAM; 16Mx16бит; 3,3В; 6нс; TSOP54
ALTERA,EP2C20F484C6N 
Категория: Программируемые интеграль. схемы ALTERA Технические характеристики,описание: ALTERA EP2C20F484C6N Микросхема: FPGA; 20к; 6нс; FBGA484; Серия: Cyclone II
ON SEMICONDUCTOR,BAL99LT1G 
Категория: Универсальные диоды SMD Технические характеристики,описание: ON SEMICONDUCTOR BAL99LT1G Диод: выпрямительный; SMD; 70В; 100мА; 6нс; SOT23
analog-devices, adg3308bcpz-reel7, logic-level-translator-8ch-lfcsp,
ANALOG DEVICES ADG3308BCPZ-REEL7 Транслятор уровня напряжения, 8 входов, 6нс, 1.15В до 5.5В, LFCSP-20
ALTERA,EP1C4F324C6N
Категория: Программируемые интеграль. схемы ALTERA Технические характеристики,описание: ALTERA EP1C4F324C6N Микросхема: FPGA; 4к; 6нс; FBGA324; Серия: Cyclone
BAS20
Категория: Универсальные диоды SMD Технические характеристики,описание: BAS20 Диод: импульсный; SMD; 200В; 200мА; 6нс; SOT23
micron, mt48lc4m32b2p-6a, sdram-128mbit-166mhz-86tsop,
MICRON MT48LC4M32B2P-6A SDRAM, 4М x 32 бита, 6нс, TSOP-II-86