Категория: Аккумуляторы кислотные Технические характеристики,описание: SSB SB12-6 Аккумулятор: свиноцово-кислотный; 6В; 12Aч; Ресурс:6-9 лет
Метка: 6В
SSB,SB12-6
DC COMPONENTS,SMCJ33CA 
Категория: Диоды transil SMD двунаправленные Технические характеристики,описание: DC COMPONENTS SMCJ33CA Диод: защитный; 1,5кВт; 40,6В; 29А; двунаправленная; DO214AB
NXP,BZX84-C3V6.215 
Категория: Стабилитроны SMD Технические характеристики,описание: NXP BZX84-C3V6.215 Диод: стабилитрон; 0,35Вт; 3,6В; SMD; SOT23; лента
INTERNATIONAL RECTIFIER,IRS2166DSPBF 
Категория: Драйверы — интегральные схемы Технические характеристики,описание: INTERNATIONAL RECTIFIER IRS2166DSPBF Driver; ballast controller; 260мА; 0?15,6В; Каналы:1; SO16
MICROCHIP TECHNOLOGY,24VL025T/OT 
Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 24VL025T/OT Микросхема памяти; EEPROM; I2C; 256×8бит; 1,5?3,6В; 400кГц
ALLIANCE MEMORY,AS7C3256A-10TCN 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C3256A-10TCN Микросхема памяти; SRAM; 32Кx8бит; 3?3,6В; 10нс; TSOP28
ALLIANCE MEMORY,AS8C803601-QC150N 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS8C803601-QC150N Микросхема памяти; SRAM; 256×36бит; 3?3,6В; 150нс; TQFP100
ALLIANCE MEMORY,AS7C3256A-10JIN 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C3256A-10JIN Микросхема памяти; SRAM; 32Кx8бит; 3?3,6В; 10нс; SOJ28
ALLIANCE MEMORY,AS7C31024B-20TJCN 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C31024B-20TJCN Микросхема памяти; SRAM; 128Кx8бит; 3?3,6В; 20нс; SOJ32; 300mils
MICROCHIP TECHNOLOGY,SST25VF032B-80-4I-S2AF 
Категория: Запоминающие уст-ва FLASH последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY SST25VF032B-80-4I-S2AF Память: Serial Flash; SPI; 80МГц; 2,7?3,6В; SO8-W