Метка: 6В

ALLIANCE MEMORY,AS7C31026C-12TIN Запоминающие уст-ва SRAM параллельные,ALLIANCE MEMORY,AS7C31026C-12TIN

Минск, Обновлено: 27 февраля 2026г., 00.05

Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C31026C-12TIN Микросхема памяти; SRAM; 64Кx16бит; 3?3,6В; 12нс; TSOP44 II

ALLIANCE MEMORY,AS7C31024B-20TCN Запоминающие уст-ва SRAM параллельные,ALLIANCE MEMORY,AS7C31024B-20TCN

Минск, Обновлено: 27 февраля 2026г., 00.05

Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C31024B-20TCN Микросхема памяти; SRAM; 128Кx8бит; 3?3,6В; 20нс; TSOP32

ALLIANCE MEMORY,AS6C1616A-55BIN Запоминающие уст-ва SRAM параллельные,ALLIANCE MEMORY,AS6C1616A-55BIN

Минск, Обновлено: 27 февраля 2026г., 00.05

Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C1616A-55BIN Микросхема памяти; SRAM; 1024×16бит; 3?3,6В; 55нс; TFBGA48

MICROCHIP TECHNOLOGY,SST25VF020B-80-4I-SAE-T Запоминающие уст-ва FLASH последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,SST25VF020B-80-4I-SAE-T

Минск, Обновлено: 27 февраля 2026г., 00.05

Категория: Запоминающие уст-ва FLASH последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY SST25VF020B-80-4I-SAE-T Память: Serial Flash; SPI; 80МГц; 2,7?3,6В; SO8

ADESTO TECHNOLOGIES,AT45DB081E-MHN-Y Запоминающие уст-ва FLASH последователь.,ADESTO TECHNOLOGIES,AT45DB081E-MHN-Y

Минск, Обновлено: 27 февраля 2026г., 00.05

Категория: Запоминающие уст-ва FLASH последователь. Технические характеристики,описание: ADESTO TECHNOLOGIES AT45DB081E-MHN-Y Память: Serial Flash; SPI / RapidS; 133МГц; 1,7?3,6В; uDFN8

ADESTO TECHNOLOGIES,AT45DB161E-SHD-B Запоминающие уст-ва FLASH последователь.,ADESTO TECHNOLOGIES,AT45DB161E-SHD-B

Минск, Обновлено: 27 февраля 2026г., 00.05

Категория: Запоминающие уст-ва FLASH последователь. Технические характеристики,описание: ADESTO TECHNOLOGIES AT45DB161E-SHD-B Память: Serial Flash; SPI / RapidS; 85МГц; 2,5?3,6В; SO8-W

MICROCHIP TECHNOLOGY,SST25VF512A-33-4I-SAE Запоминающие уст-ва FLASH последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,SST25VF512A-33-4I-SAE

Минск, Обновлено: 27 февраля 2026г., 00.05

Категория: Запоминающие уст-ва FLASH последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY SST25VF512A-33-4I-SAE Память: Serial Flash; SPI; 33МГц; 2,7?3,6В; SO8

CYPRESS,FM25CL64-DG Запомин. уст-ва FRAM - интеграль. схемы,CYPRESS,FM25CL64-DG

Минск, Обновлено: 27 февраля 2026г., 00.05

Категория: Запомин. уст-ва FRAM — интеграль. схемы Технические характеристики,описание: CYPRESS FM25CL64-DG Микросхема памяти; FRAM; SPI mode 0/3; 2,7?3,6В; 20МГц

OPTOSUPPLY,OS5YPMZ2C1P Светодиоды THT superflux,OPTOSUPPLY,OS5YPMZ2C1P

Минск, Обновлено: 27 февраля 2026г., 00.05

Категория: Светодиоды THT superflux Технические характеристики,описание: OPTOSUPPLY OS5YPMZ2C1P LED super flux; 7,62×7,62мм; желтый; 2000-6000мкд; 120°; 1,8?2,6В

ANALOG DEVICES,ADXL330KCPZ Датчики магнит. поля резистивные,ANALOG DEVICES,ADXL330KCPZ

Минск, Обновлено: 27 февраля 2026г., 00.05

Категория: Датчики магнит. поля резистивные Технические характеристики,описание: ANALOG DEVICES ADXL330KCPZ Датчик: ускорения; Диапазон:3г; -25?70°C; 1,8?3,6В