Категория: Аккумуляторы кислотные Технические характеристики,описание: YUASA NP4-6 Аккумулятор: свиноцово-кислотный; 6В; 4Aч; Ресурс:3-5 лет
Метка: 6В
YUASA,NP4-6
SM6T12CA 
Категория: Диоды transil SMD двунаправленные Технические характеристики,описание: SM6T12CA Диод: защитный; 600Вт; 12,6В; 36А; двунаправленная; SMB
DIOTEC SEMICONDUCTOR,ZMD5.6 
Категория: Стабилитроны SMD Технические характеристики,описание: DIOTEC SEMICONDUCTOR ZMD5.6 Диод: стабилитрон; 1Вт; 5,6В; SMD; MiniMELF; лента
MICROCHIP TECHNOLOGY,LAN8741-EN 
Категория: Интегральные схемы — интерфейс ETHERNET Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY LAN8741-EN Transceiver; 10/100Base-T; MII, RMII; QFN32; 3?3,6В
MICROCHIP TECHNOLOGY,24VL024H/P 
Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 24VL024H/P Микросхема памяти; EEPROM; I2C; 256×8бит; 1,5?3,6В; 400кГц; DIP8
ALLIANCE MEMORY,AS7C3256A-15JCN 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C3256A-15JCN Микросхема памяти; SRAM; 32Кx8бит; 3?3,6В; 15нс; SOJ28
ALLIANCE MEMORY,AS8C401801-QC166N 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS8C401801-QC166N Микросхема памяти; SRAM; 256×18бит; 3?3,6В; 166нс; TQFP100
ALLIANCE MEMORY,AS7C3256B-10TIN 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C3256B-10TIN Микросхема памяти; SRAM; 32Кx8бит; 3?3,6В; 10нс; TSOP28
ALLIANCE MEMORY,AS7C31026B-12JCN 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C31026B-12JCN Микросхема памяти; SRAM; 64Кx16бит; 3?3,6В; 12нс; SOJ44; 400mils
MICROCHIP TECHNOLOGY,SST25VF016B-75-4I-QAF 
Категория: Запоминающие уст-ва FLASH последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY SST25VF016B-75-4I-QAF Память: Serial Flash; SPI; 75МГц; 2,7?3,6В; TDFN8