Метка: 6В

PANASONIC,LC-R0612P1 Аккумуляторы кислотные,PANASONIC,LC-R0612P1

Минск, Обновлено: 4 декабря 2024г., 00:00

Категория: Аккумуляторы кислотные Технические характеристики,описание: PANASONIC LC-R0612P1 Аккумулятор: свиноцово-кислотный; 6В; 12Aч; Ресурс:6-9 лет

DIOTEC SEMICONDUCTOR,P6SMBJ24A Диоды transil SMD однонаправленные,DIOTEC SEMICONDUCTOR,P6SMBJ24A

Минск, Обновлено: 4 декабря 2024г., 00:00

Категория: Диоды transil SMD однонаправленные Технические характеристики,описание: DIOTEC SEMICONDUCTOR P6SMBJ24A Диод: защитный; 600Вт; 29,6В; 15,4А; однонаправленный; DO214AA

ON SEMICONDUCTOR,MMSZ5232BT1G Стабилитроны SMD,ON SEMICONDUCTOR,MMSZ5232BT1G

Минск, Обновлено: 4 декабря 2024г., 00:00

Категория: Стабилитроны SMD Технические характеристики,описание: ON SEMICONDUCTOR MMSZ5232BT1G Диод: стабилитрон; 0,5Вт; 5,6В; SMD; SOD123; лента

MICROCHIP TECHNOLOGY,LAN8720A-CP Интегральные схемы - интерфейс ETHERNET,MICROCHIP TECHNOLOGY,LAN8720A-CP

Минск, Обновлено: 4 декабря 2024г., 00:00

Категория: Интегральные схемы — интерфейс ETHERNET Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY LAN8720A-CP Transceiver; 10/100Base-T; RMII; QFN24; 3?3,6В

MICROCHIP TECHNOLOGY,24VL014T/OT Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,24VL014T/OT

Минск, Обновлено: 4 декабря 2024г., 00:00

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 24VL014T/OT Микросхема памяти; EEPROM; I2C; 128×8бит; 1,5?3,6В; 400кГц

ALLIANCE MEMORY,AS7C3256A-10TIN Запоминающие уст-ва SRAM параллельные,ALLIANCE MEMORY,AS7C3256A-10TIN

Минск, Обновлено: 4 декабря 2024г., 00:00

Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C3256A-10TIN Микросхема памяти; SRAM; 32Кx8бит; 3?3,6В; 10нс; TSOP28

ALLIANCE MEMORY,AS8C801800-QC150N Запоминающие уст-ва SRAM параллельные,ALLIANCE MEMORY,AS8C801800-QC150N

Минск, Обновлено: 4 декабря 2024г., 00:00

Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS8C801800-QC150N Микросхема памяти; SRAM; 512×18бит; 3?3,6В; 150нс; TQFP100

ALLIANCE MEMORY,AS7C3256A-20JIN Запоминающие уст-ва SRAM параллельные,ALLIANCE MEMORY,AS7C3256A-20JIN

Минск, Обновлено: 4 декабря 2024г., 00:00

Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C3256A-20JIN Микросхема памяти; SRAM; 32Кx8бит; 3?3,6В; 20нс; SOJ28

ALLIANCE MEMORY,AS7C31025B-10TJCN Запоминающие уст-ва SRAM параллельные,ALLIANCE MEMORY,AS7C31025B-10TJCN

Минск, Обновлено: 4 декабря 2024г., 00:00

Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C31025B-10TJCN Микросхема памяти; SRAM; 128Кx8бит; 3?3,6В; 10нс; SOJ32; 300mils

MICROCHIP TECHNOLOGY,SST25LF020A-33-4I-SAE Запоминающие уст-ва FLASH последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,SST25LF020A-33-4I-SAE

Минск, Обновлено: 4 декабря 2024г., 00:00

Категория: Запоминающие уст-ва FLASH последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY SST25LF020A-33-4I-SAE Память: Serial Flash x8; SPI; 33МГц; 3?3,6В; SO8