Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C3256A-10TCN Микросхема памяти; SRAM; 32Кx8бит; 3?3,6В; 10нс; TSOP28
Метка: 6В
ALLIANCE MEMORY,AS7C3256A-10TCN
ALLIANCE MEMORY,AS8C803601-QC150N 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS8C803601-QC150N Микросхема памяти; SRAM; 256×36бит; 3?3,6В; 150нс; TQFP100
ALLIANCE MEMORY,AS7C3256A-10JIN 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C3256A-10JIN Микросхема памяти; SRAM; 32Кx8бит; 3?3,6В; 10нс; SOJ28
ALLIANCE MEMORY,AS7C31024B-20TJCN 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS7C31024B-20TJCN Микросхема памяти; SRAM; 128Кx8бит; 3?3,6В; 20нс; SOJ32; 300mils
MICROCHIP TECHNOLOGY,SST25VF032B-80-4I-S2AF 
Категория: Запоминающие уст-ва FLASH последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY SST25VF032B-80-4I-S2AF Память: Serial Flash; SPI; 80МГц; 2,7?3,6В; SO8-W
ADESTO TECHNOLOGIES,AT45DB161E-SSHF-B 
Категория: Запоминающие уст-ва FLASH последователь. Технические характеристики,описание: ADESTO TECHNOLOGIES AT45DB161E-SSHF-B Память: Serial Flash; SPI / RapidS; 85МГц; 2,3?3,6В; SO8
CYPRESS,FM28V100-TG 
Категория: Запомин. уст-ва FRAM — интеграль. схемы Технические характеристики,описание: CYPRESS FM28V100-TG Микросхема памяти; FRAM; parallel; 2?3,6В; 60нс; 33МГц; TSOP32
ST MICROELECTRONICS,LIS302DL 
Категория: Датчики магнит. поля резистивные Технические характеристики,описание: ST MICROELECTRONICS LIS302DL Датчик: ускорения; Диапазон:2/4/8г; -40?85°C; 2,16?3,6В
triad-magnetics, wsu060-1250-r, ac-dc-converter-external-plug,
TRIAD MAGNETICS WSU060-1250-R AC-DC CONVERTER, EXTERNAL PLUG IN, 1 O/P, 7.5W, 6V
wamco, wl-1091m7-6v, panel-mount-indicator-led-12-7mm,
WAMCO WL-1091M7-6V PANEL MOUNT INDICATOR, LED, 12.7MM, YELLOW, 6V