Категория: Регуляторы напряжения — схема DC-DC Технические характеристики,описание: LINEAR TECHNOLOGY LTC3541EDD-3#TRPBF Преобразователь DC/DC; LDO, step down; Uвх:2,7?5,5В; 950мА; DFN10
Метка: 7?5
LINEAR TECHNOLOGY,LTC3541EDD-3#TRPBF
NXP,P80C32SBPN.112 
Категория: Микроконтроллеры NXP 8051 Технические характеристики,описание: NXP P80C32SBPN.112 Микроконтроллер ’51; SRAM:256Б; Интерфейс: UART; 2,7?5,5В; DIP40
ATMEL,AT89S8253-24PU 
Категория: Микроконтроллеры Atmel 8051 THT Технические характеристики,описание: ATMEL AT89S8253-24PU Микроконтроллер ’51; Flash:12Кx8бит; SRAM:256Б; 2,7?5,5В; DIP40
TEXAS INSTRUMENTS,LMV358MM/NOPB 
Категория: Операционные усилители SMD Технические характеристики,описание: TEXAS INSTRUMENTS LMV358MM/NOPB Операционный усилитель; 1МГц; 2,7?5,5ВDC; Каналы:2; SSOP8
MICROCHIP TECHNOLOGY,MCP2036-I/MG 
Категория: Драйверы — интегральные схемы Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY MCP2036-I/MG Driver; inductive sensor; 10мА; 2,7?5,4В; Каналы:1; QFN16
MICROCHIP TECHNOLOGY,24AA025T-I/MC 
Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 24AA025T-I/MC Микросхема памяти; EEPROM; I2C; 256×8бит; 1,7?5,5В; 400кГц; DFN8
MICROCHIP TECHNOLOGY,24AA16-I/ST 
Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 24AA16-I/ST Микросхема памяти; EEPROM; I2C; 8x256x8бит; 1,7?5,5В; 400кГц
MICROCHIP TECHNOLOGY,24FC512-I/ST
Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 24FC512-I/ST Микросхема памяти; EEPROM; I2C; 64Кx8бит; 1,7?5,5В; 1МГц; TSSOP8
ALLIANCE MEMORY,AS6C6264-55SCN 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C6264-55SCN Микросхема памяти; SRAM; 8Кx8бит; 2,7?5,5В; 55нс; SOP28; 330mils
ALLIANCE MEMORY,AS6C1008-55STINLTR 
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C1008-55STINLTR Микросхема памяти; synchronous; SRAM; 128Кx8бит; 2,7?5,5В; 55нс