Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 24AA16-I/SN Микросхема памяти; EEPROM; I2C; 8x256x8бит; 1,7?5,5В; 400кГц; SO8
Метка: 7?5
ATMEL,AT24C02C-SSHM-B
Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: ATMEL AT24C02C-SSHM-B Микросхема памяти; EEPROM; I2C; 256×8бит; 1,7?5,5В; SO8
ALLIANCE MEMORY,AS6C62256-55SIN
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C62256-55SIN Микросхема памяти; SRAM; 32Кx8бит; 2,7?5,5В; 55нс; SOP28; 330mils
ALLIANCE MEMORY,AS6C4008-55PIN
Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C4008-55PIN Микросхема памяти; SRAM; 512Кx8бит; 2,7?5,5В; 55нс; DIP32
LINEAR TECHNOLOGY,LTC2418CGNPBF
Категория: Преобразователи A/D — интегральные схемы Технические характеристики,описание: LINEAR TECHNOLOGY LTC2418CGNPBF Преобразователь A/D; Каналы:16; 24бит; 7,5выб./с; 2,7?5,5ВDC
MICROCHIP TECHNOLOGY,MCP3202-BI/SN
Категория: Преобразователи A/D — интегральные схемы Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY MCP3202-BI/SN Преобразователь A/D; Каналы:2; 12бит; 100квыб./с; 2,7?5,5ВDC; SO8
TEXAS INSTRUMENTS,ADS1110A0IDBVT
Категория: Преобразователи A/D — интегральные схемы Технические характеристики,описание: TEXAS INSTRUMENTS ADS1110A0IDBVT Преобразователь A/D; Каналы:1; 16бит; 240выб./с; 2,7?5,5ВDC
MICROCHIP TECHNOLOGY,MCP4902-E/ST
Категория: Преобразователи D/A — интегральные схемы Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY MCP4902-E/ST Преобразователь D/A; 8бит; Каналы:2; 2,7?5,5ВDC; TSSOP14
HONEYWELL,HIH-5030-001
Категория: Датчики влажности Технические характеристики,описание: HONEYWELL HIH-5030-001 Датчик: влажности; Диапазон:0?100% RH; ±3%; 2,7?5,5ВDC; -40?85°C
LINEAR TECHNOLOGY,LTC3541EDD-3#TRPBF
Категория: Регуляторы напряжения — схема DC-DC Технические характеристики,описание: LINEAR TECHNOLOGY LTC3541EDD-3#TRPBF Преобразователь DC/DC; LDO, step down; Uвх:2,7?5,5В; 950мА; DFN10