Метка: 7?5

NXP,P87C51RD2BA Микроконтроллеры NXP 8051,NXP,P87C51RD2BA

Минск, Обновлено: 02 августа 2024г., 00:00

Категория: Микроконтроллеры NXP 8051 Технические характеристики,описание: NXP P87C51RD2BA Микроконтроллер ’51; EPROM:64Кx8бит OTP; SRAM:1024Б; 2,7?5,5В

ATMEL,AT89C51RC23CSUM Микроконтроллеры Atmel 8051 THT,ATMEL,AT89C51RC23CSUM

Минск, Обновлено: 02 августа 2024г., 00:00

Категория: Микроконтроллеры Atmel 8051 THT Технические характеристики,описание: ATMEL AT89C51RC23CSUM Микроконтроллер ’51; Flash:32Кx8бит; SRAM:1280Б; 2,7?5,5В; DIP40

ANALOG DEVICES,AD8544ARZ-REEL Операционные усилители SMD,ANALOG DEVICES,AD8544ARZ-REEL

Минск, Обновлено: 02 августа 2024г., 00:00

Категория: Операционные усилители SMD Технические характеристики,описание: ANALOG DEVICES AD8544ARZ-REEL Операционный усилитель; 1МГц; 2,7?5,5ВDC; Каналы:4; SO14 Новинка!

MAXIM-DALLAS,MAX962ESA+ Компараторы SMD,MAXIM-DALLAS,MAX962ESA+

Минск, Обновлено: 02 августа 2024г., 00:00

Категория: Компараторы SMD Технические характеристики,описание: MAXIM-DALLAS MAX962ESA+ Компаратор; быстродействующий; 4,7нс; 2,7?5,5ВDC; Каналы:2; SMD

MICROCHIP TECHNOLOGY,24AA025-I/ST Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,24AA025-I/ST

Минск, Обновлено: 02 августа 2024г., 00:00

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 24AA025-I/ST Микросхема памяти; EEPROM; I2C; 256×8бит; 1,7?5,5В; 400кГц; TSSOP8

MICROCHIP TECHNOLOGY,24AA32AT-I/MC Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.,MICROCHIP TECHNOLOGY,24AA32AT-I/MC

Минск, Обновлено: 02 августа 2024г., 00:00

Категория: Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь. Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY 24AA32AT-I/MC Микросхема памяти; EEPROM; I2C; 4Кx8бит; 1,7?5,5В; 400кГц; DFN8

ALLIANCE MEMORY,AS6C1008-55BIN Запоминающие уст-ва SRAM параллельные,ALLIANCE MEMORY,AS6C1008-55BIN

Минск, Обновлено: 02 августа 2024г., 00:00

Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C1008-55BIN Микросхема памяти; SRAM; 128Кx8бит; 2,7?5,5В; 55нс; TFBGA36

ALLIANCE MEMORY,AS6C6264-55STCNTR Запоминающие уст-ва SRAM параллельные,ALLIANCE MEMORY,AS6C6264-55STCNTR

Минск, Обновлено: 02 августа 2024г., 00:00

Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C6264-55STCNTR Микросхема памяти; synchronous; SRAM; 8Кx8бит; 2,7?5,5В; 55нс

ALLIANCE MEMORY,AS6C1008-55TINTR Запоминающие уст-ва SRAM параллельные,ALLIANCE MEMORY,AS6C1008-55TINTR

Минск, Обновлено: 02 августа 2024г., 00:00

Категория: Запоминающие уст-ва SRAM параллельные Технические характеристики,описание: ALLIANCE MEMORY AS6C1008-55TINTR Микросхема памяти; synchronous; SRAM; 128Кx8бит; 2,7?5,5В; 55нс

MICROCHIP TECHNOLOGY,MCP3424-E/ST Преобразователи A/D - интегральные схемы,MICROCHIP TECHNOLOGY,MCP3424-E/ST

Минск, Обновлено: 02 августа 2024г., 00:00

Категория: Преобразователи A/D — интегральные схемы Технические характеристики,описание: MICROCHIP TECHNOLOGY MCP3424-E/ST Преобразователь A/D; Каналы:4; 18бит; 4выб./с; 2,7?5,5ВDC