730 мВт — Минск +375447584780 Viber telegram whatsapp Skype

stmicroelectronics, da108s1, diode-array-tvs,

STMICROELECTRONICS DA108S1 Защитное устройство от ЭСР, TVS, SOIC, 8 вывод(-ов), 1.2 В, 730 мВт

NEXPERIA PBHV9540Z Биполярный транзистор, PNP, -400 В, 30 МГц, 730 мВт, -500 мА, 155 hFE

NEXPERIA PBHV9215Z Биполярный транзистор, PNP, -150 В, 35 МГц, 730 мВт, -2 А, 180 hFE

NEXPERIA PBHV8215Z Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 33 МГц, 730 мВт, 2 А, 240 hFE

NEXPERIA PBHV8215Z,115 Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 33 МГц, 730 мВт, 2 А, 240 hFE

PBHV8215Z Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 33 МГц, 730 мВт, 2 А, 240 hFE

NEXPERIA PBHV8140Z,115 Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 25 МГц, 730 мВт, 1 А, 155 hFE

PBHV8140Z Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 25 МГц, 730 мВт, 1 А, 155 hFE