linear-technology, lt1469cs8-pbf, op-amp-dual-16bit-90mhz-8soic,

LINEAR TECHNOLOGY LT1469CS8#PBF Операционный усилитель, двойной, 2 Усилителя, 90 МГц, 22 В/мкс, ± 4.5В до ± 15В, SOIC, 8 вывод(-ов)

texas-instruments, ths4281dbvt, opamp-vfb-r-r-95mhz-sot23-5,

TEXAS INSTRUMENTS THS4281DBVT Операционный усилитель, одиночный, 1 Усилитель, 90 МГц, 35 В/мкс, 2.7В до 15В, ± 1.35В до ± 8.25В

on-semiconductor, mjd45h11t4g, transistor-pnp-80v-8a-to-252-3,

ON SEMICONDUCTOR MJD45H11T4G Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 90 МГц, 20 Вт, -8 А, 60 hFE

nxp, phpt61010py, transistor-pnp-100v-sot-669,

PHPT61010PY Биполярный транзистор, AEC-Q101, PNP, -100 В, 90 МГц, 1.5 Вт, -10 А, 10 hFE

on-semiconductor, njvmjd45h11t4g, transistor-aec-q101-pnp-80v-to,

ON SEMICONDUCTOR NJVMJD45H11T4G Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 90 МГц, 20 Вт, -8 А, 40 hFE Новинка

nxp, pbss5560pa, transistor-pnp-60v-5a-sot1061,

NEXPERIA PBSS5560PA Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 90 МГц, 2.1 Вт, -5 А, 265 hFE

nxp, pbss5560pa, transistor-pnp-60v-5a-sot1061,

PBSS5560PA Биполярный транзистор, PNP, -60 В, 90 МГц, 2.1 Вт, -5 А, 265 hFE

on-semiconductor, njvmjd45h11t4g, transistor-aec-q101-pnp-80v-to,

ON SEMICONDUCTOR NJVMJD45H11T4G Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 90 МГц, 20 Вт, -8 А, 40 hFE Новинка

on-semiconductor, mjd45h11t4g, transistor-pnp-80v-8a-to-252-3,

ON SEMICONDUCTOR MJD45H11T4G Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 90 МГц, 20 Вт, -8 А, 40 hFE

on-semiconductor, mjd45h11rlg, transistor-bipol-pnp-80v-to-252,

ON SEMICONDUCTOR MJD45H11RLG Биполярный транзистор, универсальный, PNP, -80 В, 90 МГц, 20 Вт, -8 А, 40 hFE