DIODES INC. ES2B Быстрый / ультрабыстрый диод, 100 В, 2 А, Одиночный, 900 мВ, 25 нс, 50 А
Метка: диоды
infineon, igw30n100tfksa1, transistor-discrete-igbt,
INFINEON IGW30N100TFKSA1 TRANSISTOR, DISCRETE IGBT Новинка
infineon, irf7413trpbf, mosfet-n-ch-30v-13a-soic-8,
полупроводники — дискректные
multicomp, mbr3040ct, schottky-diode-30a-40v-to-220ab,
MULTICOMP MBR3040CT. SCHOTTKY DIODE, 30A, 40V, TO-220AB
nexperia, pmeg2015ea, diode-schottky-sod-323,
PMEG2015EA Диод Шоттки малого сигнала, Одиночный, 20 В, 1.5 А, 660 мВ, 10 А, 125 °C
nxp, bc807-40qa, transistor-pnp-45v-0-5a-dfn1010d,
NEXPERIA BC807-40QA Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 80 МГц, 900 мВт, -500 мА, 250 hFE
nxp, pmbta42-215, transistor-npn-300v-0-1a-sot-23,
NEXPERIA PMBTA42,215 Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 50 МГц, 250 мВт, 100 мА, 40 hFE
infineon, spb16n50c3atma1, mosfet-n-ch-560v-16a-to-263-3,
INFINEON SPB16N50C3ATMA1 МОП-транзистор, N Канал, 16 А, 560 В, 0.25 Ом, 10 В, 3 В
fairchild-semiconductor, es1f, diode-fast-1a-300v-smd,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ES1F Быстрый / ультрабыстрый диод, 300 В, 1 А, Одиночный, 1.3 В, 35 нс, 30 А
on-semiconductor, mmbt4401wt1g, transistor-npn-40v-600ma-sot-323,
ON SEMICONDUCTOR MMBT4401WT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 250 МГц, 150 мВт, 600 мА, 20 hFE