INFINEON IPB027N10N3GATMA1 МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 100 В, 0.0023 Ом, 10 В, 2.7 В
Метка: mosfet-n-ch-100v-120a-to-263-3
fairchild-semiconductor, fdb047n10, mosfet-n-ch-100v-120a-to-263-3,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB047N10 МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 100 В, 0.0039 Ом, 10 В, 3.5 В
fairchild-semiconductor, fdb047n10, mosfet-n-ch-100v-120a-to-263-3,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB047N10 МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 100 В, 0.0039 Ом, 10 В, 3.5 В
vishay, sum70040e-ge3, mosfet-n-ch-100v-120a-to-263-3,
VISHAY SUM70040E-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 100 В, 0.0032 Ом, 10 В, 4 В
vishay, sum70040e-ge3, mosfet-n-ch-100v-120a-to-263-3,
VISHAY SUM70040E-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 100 В, 0.0032 Ом, 10 В, 4 В
vishay, sqm120n10-3m8-ge3, mosfet-n-ch-100v-120a-to-263-3,
VISHAY SQM120N10-3M8-GE3 МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 100 В, 0.003 Ом, 10 В, 3 В