INFINEON FP35R12W2T4 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 35 А, 1.85 В, 215 Вт, 1.2 кВ, Module
Метка: N Канал
fairchild-semiconductor, fdt457n, n-channel-mosfet-30v-5a-sot-223,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT457N. МОП-транзистор, N Канал, 5 А, 30 В, 60 мОм, 10 В, 1.6 В
fairchild-semiconductor, fds4470, mosfet-n-ch-40v-12-5a-soic-8,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4470 МОП-транзистор, N Канал, 12.5 А, 40 В, 0.006 Ом, 10 В, 3.9 В
fairchild-semiconductor, fdp2572, mosfet-n-ch-29a-150v-to220ab,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP2572 МОП-транзистор, N Канал, 29 А, 150 В, 0.045 Ом, 10 В, 4 В
fairchild-semiconductor, fdms8027s, mosfet-n-ch-30v-22a-power56,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8027S МОП-транзистор, N Канал, 22 А, 30 В, 0.0042 Ом, 10 В, 1.5 В
fairchild-semiconductor, fdma8878, mosfet-n-ch-30v-6mlp,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA8878 МОП-транзистор, N Канал, 10 А, 30 В, 0.013 Ом, 10 В, 1.8 В
fairchild-semiconductor, fdd3706, mosfet-n-ch-20v-50a-to-252aa-3,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3706 МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 20 В, 7.5 мОм, 10 В, 1 В
fairchild-semiconductor, fdc021n30, mosfet-n-ch-30v-6-1a-ssot-6,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC021N30 МОП-транзистор, траншейный, N Канал, 6.1 А, 30 В, 0.026 Ом, 10 В, 1.8 В
fairchild-semiconductor, fcp9n60n, mosfet-n-ch-600v-9a-to220,
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP9N60N Силовой МОП-транзистор, N Канал, 9 А, 600 В, 0.33 Ом, 10 В, 2 В
microchip, dn3545n8-g, mosfet-n-ch-450v-0-2a-sot-89-3,
MICROCHIP DN3545N8-G МОП-транзистор, N Канал, 200 мА, 450 В, 20 Ом, 0 В